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刘金锋; 刘忠良; 武煜宇; 徐彭寿; 汤洪高;
中国科学技术大学,国家同步辐射实验室,合肥,230029;
中国科学技术大学,材料系,合肥,230026;
碳化硅薄膜; 硅衬底; 固源分子束外延; 衬底温度;
机译:使用3C-SiC缓冲层的Si(111)衬底上ZnO薄膜的异质外延
机译:在各种衬底温度下在轴上和轴外3C-SiC(111)/ Si(111)衬底上溅射AlN膜
机译:氢流量对Si(111)衬底上3C-SiC异质外延层生长的影响
机译:等离子体辅助CVD在低衬底温度下在Si(111)上异质外延生长3C-SiC
机译:AlN,4H-SiC,3C-SiC和ZrB2衬底上磷化硼的外延。
机译:Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC的动力学表面粗糙化和晶圆弯曲控制
机译:mBE(分子束外延)在低衬底温度和生长速率下生长的Gaas薄膜的研究
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:形成3C-SIC外延薄膜的方法及由此形成的SIC外延薄膜
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