机译:氢流量对Si(111)衬底上3C-SiC异质外延层生长的影响
机译:a-SiC衬底上3C-SiC(111)异质外延层中双边界消除的机理
机译:生长前衬底氮化对ECR-MBE在Si(001)和Si(111)衬底上生长的GaN异质外延层初始生长过程的影响
机译:使用AIN作为缓冲层在Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC
机译:使用常规和五极外延生长工艺在氢(6)-碳化硅(0001)和硅(111)衬底上生长氮化镓和氮化铝镓薄膜。
机译:Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC的动力学表面粗糙化和晶圆弯曲控制
机译:Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC的动力学表面粗糙化和晶圆弯曲控制