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刘金锋; 刘忠良; 王科范; 徐彭寿; 汤洪高;
中国科学技术大学国家同步辐射实验室;
中国科学技术大学材料系;
碳化硅; 碳化; 固源分子束外延; 反射高能电子衍射;
机译:生长前衬底氮化对ECR-MBE在Si(001)和Si(111)衬底上生长的GaN异质外延层初始生长过程的影响
机译:通过ECR辅助MBE研究在Si(001)和Si(111)衬底上生长的GaN异质外延层的初始生长过程
机译:氢流量对Si(111)衬底上3C-SiC异质外延层生长的影响
机译:等离子体辅助CVD在低衬底温度下在Si(111)上异质外延生长3C-SiC
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC的动力学表面粗糙化和晶圆弯曲控制
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:在台面图案化衬底上外延生长的异质结构半导体激光器的制造方法-使用三甲基甲基镓作为源气体,在台面条纹侧面上通过电流阻挡砷化镓层的外延MOCVD生长
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