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Silicon Carbide and Related Materials 2007
Silicon Carbide and Related Materials 2007
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1.
Homoepitaxial Growth of 4H-SiC on On-Axis Si-face Substrates Using Chloride-based CVD
机译:
氯化物基CVD法在同轴Si面衬底上4H-SiC的同质外延生长
作者:
S. Leone
;
H. Pedersen
;
A. Henry
;
O. Kordina
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
chloride-based CVD growth;
epilayers;
on-axis;
Si-face;
high growth rate;
2.
Development of a High Rate 4H-SiC Epitaxial Growth Technique Achieving Large-Area Uniformity
机译:
实现大面积均匀性的高速4H-SiC外延生长技术的发展
作者:
M. Ito
;
L. Storasta
;
H. Tsuchida
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
epitaxial growth;
high growth rate;
large area uniformity;
impurities;
3.
Very High Growth Rate of 4H-SiC using MTS as Chloride-based Precursor
机译:
使用MTS作为氯化物基前体的4H-SiC的极高生长速率
作者:
H. Pedersen
;
S. Leone
;
A. Henry
;
F. C. Beyer
;
V. Darakchieva
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
chloride-based CVD growth;
high growth rate;
epilayers;
4.
Development of a Practical High-Rate CVD System
机译:
开发实用的高速CVD系统
作者:
Y. lshida
;
T. Takahashi
;
H. Okumura
;
K. Arai
;
S. Yoshida
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
CVD;
homoepitaxial growth;
high rate growth;
5.
SiC-4H Epitaxial Layer Growth by Trichlorosilane (TCS) as Silicon Precursor at Very High Growth Rate
机译:
三氯硅烷(TCS)作为硅前驱体以非常高的生长速率生长SiC-4H外延层
作者:
F. La Via
;
G. lzzo
;
M.Mauceri
;
G. Pistone
;
G. Condorelli
;
L. Perdicaro
;
G. Abbondanza
;
F. Portuese
;
G. Galvagno
;
S. Di Franco
;
L. Calcagno
;
G. Foti
;
G.L. Valente
;
D. Crippa
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
epitaxial growth;
trichlorosilane;
silicon carbide;
high growth rate;
6.
Thin SiC-4H Epitaxial Layer Growth by Trichlorosilane (TCS) as Silicon Precursor with Very Abrupt Junctions
机译:
三氯硅烷(TCS)作为具有非常突变结的硅前驱体而生长薄的SiC-4H外延层
作者:
G. Condorelli
;
M.Mauceri
;
G. Pistone
;
L.M.S. Perdicaro
;
G. Abbondanza
;
F. Portuese
;
G.L. Valente
;
D. Crippa
;
F. Giannazzo
;
F. La Via
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
epitaxial growth;
trichlorosilane;
silicon carbide;
high growth rate;
7.
Multi-level Simulation Study of Crystal Growth and Defect Formation Processes in SiCMulti-level Simulation Study of Crystal Growth and Defect Formation Processes in SiC
机译:
SiC中晶体生长和缺陷形成过程的多层次模拟研究SiC中晶体生长和缺陷形成过程的多层次模拟研究
作者:
Hiromitsu Takaba
;
Ai Sagawa
;
Miki Sato
;
Seika Ouchi
;
Yuko Yoshida
;
Yukie Hayashi
;
Emi Sato
;
Kenji Inaba
;
Riadh Sahnoun
;
Michihisa Koyama
;
Hideyuki Tsuboi
;
Nozomu Hatakeyama
;
Akira Endou
;
Momoji Kubo
;
Carlos A. Del Carpio
;
Yasuo Kitou
;
Emi Makino
;
Norikazu Hosokawa
;
Jun Hasegawa
;
Shoichi Onda
;
Akira Miyamoto
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
growth mechanism;
crystal defect;
first principal calculation;
density functional theory;
monte carlo simulation;
HTCVD;
surface;
adsorption;
8.
3C-SiC on Si Substrates using Pendeo-Epitaxial Growth
机译:
使用Pendeo-外延生长在Si衬底上的3C-SiC
作者:
Byeung C. Kim
;
Michael A. Capano
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
3C-SiC;
pendeo-epitaxy;
stripe;
surface morphology;
trench;
9.
Influence of growth parameters on the residual strain in 3C-SiC epitaxial layers on (001) silicon
机译:
生长参数对(001)硅上3C-SiC外延层中残余应变的影响
作者:
G. Wagner
;
J. Schwarzkopf
;
M. Schmidbauer
;
R. Fornari
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
10.
Island Formation of SiC Film on Striated Si(001) Substrates
机译:
横纹Si(001)衬底上SiC膜的岛形成
作者:
Yoshimine Kato
;
Kazuo Sakumoto
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC/Si(001);
nucleation;
CVD;
monomethylsilane;
epitaxial growth;
undulation;
11.
Structural and Morphological Characterization of 3C-SiC Films Grown on (111), (211) and (100) Silicon Substrates
机译:
在(111),(211)和(100)硅衬底上生长的3C-SiC膜的结构和形态表征
作者:
M. Portail
;
M. Nemoz
;
M. Zielinski
;
T. Chassagne
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
CVD;
3C-SiC;
carbonization;
twin defects;
12.
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) at Low Substrate Temperature by Plasma Assisted CVD
机译:
等离子体辅助CVD在低衬底温度下在Si(111)上异质外延生长3C-SiC
作者:
Hideki Shimizu
;
Akira Kato
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
heteroepitaxial growth;
hydrogen radical;
X-ray diffraction;
plasma-assisted CVD;
3C-SiC/Si;
reflection electron diffraction;
13.
Buckling Stabilization and Stress Reduction in SiC on Si by i-FLASiC Processing
机译:
i-FLASiC工艺在Si上SiC上的屈曲稳定和应力降低
作者:
A. Andreadou
;
J. Pezoldt
;
Ch. Foerster
;
E. K. Polychroniadis
;
M. Voelskow
;
W. Skorupa
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
characterization;
3C-SiC;
flash lamp annealing;
buckling;
14.
Characteristics of Polycrystalline 3C-SiC Thin Films Grown on AIN Buffer Layer by CVD
机译:
CVD在AIN缓冲层上生长的多晶3C-SiC薄膜的特性
作者:
Gwiy-Sang Chung
;
Kang-San Kim
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
polycrystalline 3C-SiC APCVD;
AIN buffer layer;
HMDS;
15.
3C-SiC Heteroepitaxy on (100), (111) and (110) Si using Trichlorosilane (TCS) as the Silicon Precursor
机译:
使用三氯硅烷(TCS)作为硅前体在(100),(111)和(110)Si上进行3C-SiC异质外延
作者:
R. Anzalone
;
A. Severino
;
G. DArrigo
;
C. Bongiorno
;
P. Fiorenza
;
G. Foti
;
G. Condorelli
;
M. Mauceri
;
G. Abbondanza
;
F. La Via
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
3C-SiC growth process;
heteroepitaxy;
trichlorosilane;
16.
Hetero-epitaxial Growth of 3C-SiC with Smooth Surface on Si(001) using Acetylene Gas
机译:
使用乙炔气在Si(001)上异质外延生长3C-SiC在Si(001)上的表面
作者:
Yasuo Hirabayashi
;
Satoru Kaneko
;
Kensuke Akiyama
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
3C-SiC;
LPCVD;
hetero-epitaxy;
acetylene;
Si(001);
17.
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AIN as a Buffer Layer
机译:
使用AIN作为缓冲层在Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC
作者:
Y.M.Zhao
;
G.S.Sun
;
X.F.Liu
;
J.Y.Li
;
W.S.Zhao
;
L.Wang
;
J.M.Li
;
Y.P.Zeng
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
silicon carbide;
aluminum nitride;
buffer layer;
LPCVD;
18.
Sense Determination of c-axis Screw Dislocations in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中c轴螺丝位错的感官确定
作者:
Yi Chen
;
XianRong Huang
;
Govindhan Dhanaraj
;
Michael Dudley
;
Edward K. Sanchez
;
Michael F. MacMillan
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
threading screw dislocations;
dislocation sense;
x-ray topography;
19.
Studies of the Distribution of Elementary Threading Screw Dislocations In 4H Silicon Carbide Wafer
机译:
4H碳化硅晶片基本螺纹位错的分布研究
作者:
Yi Chen
;
Ning Zhang
;
XianRong Huang
;
David R. Black
;
Michael Dudley
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
threading screw dislocation;
dislocation sense;
sense distribution;
20.
High-Resolution Topography Analysis on Threading Edge Dislocations in 4H-SiC Epilayers
机译:
4H-SiC外延层中螺纹边缘位错的高分辨率形貌分析
作者:
I. Kamata
;
M. Nagano
;
H. Tsuchida
;
Yi. Chen
;
M. Dudley
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
topography;
dislocations;
edge dislocations;
TED;
21.
Observation of Misfit Dislocations Introduced by Epi-layer Growth on 4H-SiC
机译:
外延层生长在4H-SiC上引入的错配位错的观察
作者:
Hirofumi Matsuhata
;
Hirotaka Yamaguchi
;
Ichiro Nagai
;
Toshiyuki Ohno
;
Ryouji Kosugi
;
Akimasa Kinoshita
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
misfit dislocation;
basal plane dislocation;
threading edge dislocation;
burgers vector;
X-ray topography;
4H-SiC;
22.
Dislocation Contrast of 4H-SiC in X-ray Topography under Weak-beam Condition
机译:
弱束条件下X射线形貌中4H-SiC的位错对比
作者:
Hirotaka Yamaguchi
;
Hirofumi Matsuhata
;
Ichiro Nagai
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
X-ray topography;
dislocation;
rocking curve;
weak beam;
23.
The electronic structure of the UD-4 defect in 4H, 6H and 15R SiC
机译:
4H,6H和15R SiC中UD-4缺陷的电子结构
作者:
Andreas Gaellstroem
;
Bjoern Magnusson
;
Aurelie Thuaire
;
Plamen Paskov
;
Anne Henry
;
Erik Janzen
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
deep level defects;
photoluminescence;
zeeman effect;
24.
Deep Levels Responsible for Semi-insulating Behavior in Vanadium-doped 4H-SiC Substrates
机译:
负责掺杂钒的4H-SiC衬底中半绝缘行为的深能级
作者:
NT. Son
;
P. Carlsson
;
A. Gaellstroem
;
B. Magnusson
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
vanadium;
deep level;
intrinsic defects;
semi-insulating;
carrier compensation;
EPR;
25.
New Type of Defects Explored by Theory: Silicon Interstitial Clusters in SiC
机译:
理论探索的新型缺陷:SiC中的硅间隙簇
作者:
A. Gali
;
T. Hornos
;
N. T. Son
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
interstitials;
local vibrational modes;
photoluminescence;
26.
Contact-less Electrical Defect Characterization of Semi-insulating 6H-SiC Bulk Material
机译:
半绝缘6H-SiC块状材料的非接触电缺陷表征
作者:
S. Hahn
;
F. C. Beyer
;
A. Gaellstroem
;
P. Carlsson
;
A. Henry
;
B. Magnusson
;
J. R. Niklas
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
semi-insulating 6H-SiC;
C/Si-ratios;
MD-PICTS;
contact-less electrical characterization;
defect levels;
27.
Photo-EPR Study of Vacancy-type Defects in Irradiated n-type 4H-SiC
机译:
用光EPR研究n型4H-SiC的空位缺陷
作者:
T. Umeda
;
N. Morishita
;
T. Ohshima
;
H. ltoh
;
J. Isoya
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
photo-EPR;
energy level;
carbon vacancy;
silicon vacancy;
divacancy;
carbon antisite-vacancy pair;
4H-SiC;
28.
Effect of the Schottky Barrier Height on the Detection of Midgap Levels in 4H-SiC by Deep Level Transient Spectroscopy
机译:
肖特基势垒高度对深能级瞬态光谱法检测4H-SiC中能级的影响
作者:
S. A. Reshanov
;
G. Pensl
;
K. Danno
;
T. Kimoto
;
S. Hishiki
;
T. Ohshima
;
Fei Yan
;
R. P. Devaty
;
W. J. Choyke
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
midgap levels;
DLTS;
schottky barrier;
29.
Search for Hydrogen Related Defects in p-type 6H and 4H-SiC
机译:
在p型6H和4H-SiC中寻找与氢有关的缺陷
作者:
G. Alfieri
;
T. Kimoto
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
implantation;
hydrogen;
DLTS;
30.
Evolution of D_1-Defect Center in 4H-SiC During High Temperature Annealing
机译:
高温退火过程中4H-SiC中D_1缺陷中心的演变
作者:
S. I. Maximenko
;
J. A. Freitas Jr
;
N. Y. Garces
;
E. R. Glaser
;
M. A. Fanton
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
semi-insulating material;
luminescence;
D_1 defect;
high temperature annealing;
31.
Carrier Removal in Electron Irradiated 4H and 6H SiC
机译:
电子辐照4H和6H SiC中的载流子去除
作者:
Mads Mikelsen
;
Ulrike Grossner
;
Jan H. Bleka
;
Edouard V. Monakhov
;
Bengt G. Svensson
;
Rositza Yakimova
;
Anne Henry
;
Erik Janzen
;
Alexander A. Lebedev
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
6H-SiC;
electron irradiation;
annealing;
deep levels;
DLTS;
CV;
AS;
32.
The Formation and Annealing of Carbon Interstitial-related Complexes in Electron-, Proton- and Helium Irradiated 4H SiC
机译:
电子,质子和氦气辐照的4H SiC中碳间隙相关配合物的形成和退火
作者:
J. W. Steeds
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
electron irradiation;
photoluminescence microscopy;
carbon interstitials;
33.
Identification of Neutral Carbon Vacancy-carbon Anti-site Complex by Low Temperature Photoluminescence Spectroscopy
机译:
低温光致发光光谱法鉴定中性碳空位-碳反位配合物
作者:
J. W. Steeds
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
vacancy complexes;
anti-site defects;
deep levels;
photoluminescence;
34.
lonization Energies of Phosphorus Donors in 6H-SiC
机译:
6H-SiC中磷供体的电离能
作者:
F. Schmid
;
K. Semmelroth
;
M. Krieger
;
H. B. Weber
;
G. Pensl
;
E. E. Haller
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
neutron transmutation;
phosphorus-related donors;
ionization energy;
35.
Wave-function symmetry and the properties of shallow P donors in 4H SiC
机译:
4H SiC中的波函数对称性和浅P施主的性质
作者:
I. G. lvanov
;
C. Persson
;
A. Henry
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
shallow donors;
wave function symmetry;
selection rules;
36.
Infrared PL Signatures of n-type Bulk SiC Substrates with Nitrogen Impurity Concentration Between 10~(16) and 10~(17) cm~(-3)
机译:
氮杂质浓度在10〜(16)和10〜(17)cm〜(-3)之间的n型块状SiC衬底的红外PL特性
作者:
E.R. Glaser
;
N.Y. Garces
;
J.D. Caldwell
;
W.E. Carlos
;
M.E. Zvanut
;
B. Magnusson
;
D.M. Hansen
;
G. Chung
;
M.J. Loboda
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC bulk substrates;
nitrogen;
infrared photoluminescence;
37.
A Comparison of Transient Boron Diffusion in Silicon, Silicon Carbide and Diamond
机译:
硅,碳化硅和金刚石中瞬态硼扩散的比较
作者:
M.K. Linnarsson
;
J. Isberg
;
A. Schoener
;
A. Hallen
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
boron;
SIMS;
diffusion;
4H-SiC;
diamond;
38.
Titanium Related Luminescence in SiC
机译:
SiC中的钛相关发光
作者:
Anne Henry
;
J. Peder Bergman
;
Erik Janzen
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
titanium;
isoelectronic bound-exciton;
time-resolved photoluminescence;
39.
Diffusion and Electroluminescence Studies of Low Temperature Diffusion of Boron in 3C-SiC
机译:
硼在3C-SiC中的低温扩散扩散和电致发光研究
作者:
I.G. Atabaev
;
C.C. Tin
;
B.G. Atabaev
;
T.M. Saliev
;
E.N. Bakhranov
;
N.A. Matchanov
;
S.L. Lutpullaev
;
J. Zhang
;
N.G. Saidkhanova
;
F.R. Yuzikaeva
;
I. Nuritdinov
;
A. Kh. lslomov
;
M.Z. Amanov
;
Rusli
;
A. Kumta
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
3C-SiC;
boron diffusion;
p-type doping;
p-n junction;
low temperature diffusion;
spreading resistance;
electroluminescence;
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