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Si(111)衬底上3C-SiC的CVD异质外延生长

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以乙烯和硅烷为生长气源、在900~1000℃下、用化学气相淀积方法在硅(111)衬底上外延生长了碳化硅薄膜.X射线衍射结果表明所制备的碳化硅薄膜沿衬底晶向外延、结晶取向单一,为立方结构的碳化硅外延层.喇曼散射测量显示提高生长温度有益于改善碳化硅外延薄膜的晶体质量.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|152-155|共4页
会议地点厦门
作者
韩平; 叶强; 孙澜; 朱顺明; 史君; 顾书林; 郑有炓;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.24;TN304.055;
关键词
外延生长; 化学气相淀积; X射线衍射谱; 俄歇电子能谱; 拉曼散射; 碳化硅薄膜;

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