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蓝宝石衬底上InAlN材料的MOCVD外延生长研究

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第 1 章 绪论

1.1研究背景及意义

1.2 材料简介及研究进展

1.3本论文主要研究内容

第2章 材料制备技术及特性表征设备

2.1 引言

2.2材料制备技术

2.3特性表征设备

2.4 本章小结

第 3 章 GaN薄膜的外延生长研究

3.1引言

3.2低温GaN缓冲层对GaN薄膜晶体质量的影响

3.3 GaN薄膜的生长工艺条件优化

3.4 本章小结

第 4 章 GaN/蓝宝石衬底上InAlN薄膜的外延生长研究

4.1引言

4.2生长温度对InAlN薄膜特性的影响

4.3生长压力对InAlN薄膜特性的影响

4.4气相V/III对InAlN薄膜特性的影响

4.5 本章小结

结论

参考文献

作者简介及科研成果

致谢

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著录项

  • 作者

    于佳琪;

  • 作者单位

    吉林大学;

  • 授予单位 吉林大学;
  • 学科 集成电路工程
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 张源涛;
  • 年度 2020
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TQ1TN8;
  • 关键词

  • 入库时间 2022-08-17 11:22:17

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