蓝宝石衬底上AlGaN外延材料的低压MOCVD生长

摘要

采用低温AlN成核层在1180℃温度下在(0001)蓝宝石衬底上用低压MOCVD设备生长了AlGaN外延层。Al组分高达0.6、厚度大于1μm的AlGaN外延层表面光亮,晶体质量较好,(0002)X射线衍射回摆曲线半峰宽FWHM为853弧秒。当反应室气压从5×103Pa降到2×103Pa后,AlGaN外延层的生长速率和固相Al组分都显著提高。