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温度对Si衬底上低压MOCVD外延生长ZnS薄膜质量的影响

     
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摘要

用低压MOCVD系统在(111)Si衬底上,用两步生长方法(改变Ⅱ/Ⅵ流量比)在300～400℃时外延生长了ZnS单晶薄膜.随着衬底温度的降低,ZnS薄膜结晶质量提高,并在300℃生长时获得结晶完整性较好的(111)ZnS单晶薄膜.文中讨论了衬底温度对薄膜质量的影响.

著录项

  • 来源
    《发光学报》|2000年第1期|6-10|共5页
  • 作者

    赵晓薇; 张吉英; 杨宝均; 范希武; 羊亿; 申德振;

  • 作者单位

    中国科学院激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021;

    中国科学院激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021;

    中国科学院激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021;

    中国科学院激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021;

    中国科学院激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021;

    中国科学院激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜的生长、结构和外延;
  • 关键词

    ZnS外延膜; Si衬底; 低压MOCVD;

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