Si衬底上MOCVD外延生长GaN的导电特性研究

摘要

本文对Si衬底上插入了低温AlN应力缓冲层的GaN外延结构进行了研究,并在该外延结构中观察到了一种反常的P型导电现象。针对该现象,对比具有不同结构的样品进行研究。通过SIMS和变温Hall测试分析,P型现象主要是由于外延生长时高温AlN中的A1原子扩散进Si衬底所导致的。同时还观察到了低温AlN插入层存在低阻特性使得该结构在低温下(50K)存在导电类型从P型转化为N型的现象。