机译:通过PLD和MOCVD的组合方法在Si衬底上产生的GaN外延膜的生长机制
South China Univ Technol State Key Lab Luminescent Mat &
Devices Guangzhou 510640 Guangdong Peoples R China;
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Yangtze Univ Sch Phys &
Optoelect Engn Jingzhou 434023 Peoples R China;
Si substrates; GaN; Low-temperature templates; Growth mechanism;
机译:通过PLD和MOCVD的组合方法在Si衬底上产生的GaN外延膜的生长机制
机译:不同温度下脉冲激光沉积在ALN / Si杂结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机制
机译:通过两步生长AlN缓冲层在Si衬底上生长的高质量无裂纹GaN外延膜
机译:使用AlAs,AlAs / GaAs和AlN缓冲层的低压MOCVD在硅衬底上外延生长GaN
机译:通过MOCVD生长的高导电性和透明氧化镉薄膜:外延生长和掺杂效应
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:勘误:“使用低温生长技术在近晶格匹配的铪基板上外延生长GaN薄膜”[apL mater。 4,076104(2016)]
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻