一种Si衬底上GaN基功率半导体器件的外延层结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Si衬底上GaN基功率半导体器件的外延层结构及其制备方法，包括Si衬底、图形化结构AlN缓冲层和GaN基功率器件结构；其中：Si衬底上制备有图形化结构，所述AlN缓冲层在有图形化结构的Si衬底上制备，所述图形化结构为圆柱形、圆锥形、穹顶形、多边棱柱形、多边棱锥形或长条形。本发明的优点在于：通过在Si衬底上制备图形化结构，并通过磁控溅射在有图形化结构的Si衬底上沉积AlN缓冲层，然后在上述缓冲层上生长GaN基功率器件结构，Si衬底上的图形化结构，对于GaN基功率器件结构的外延层应力释放有较好的效果，可以降低外延层中的位错密度，提高晶体质量；在图形化结构的Si衬底上沉积AlN缓冲层，避免了Ga原子的回熔问题，利于后续的外延生长。