蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长

赵红; 邹泽亚; 赵文伯; 刘挺; 杨晓波; 廖秀英; 王振; 周勇; 刘万清

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在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166″.实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.

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来源
《半导体学报》 |2007年第10期|1568-1573|共6页
作者
赵红; 邹泽亚; 赵文伯; 刘挺; 杨晓波; 廖秀英; 王振; 周勇; 刘万清;
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作者单位

中国电子科技集团第四十四研究所;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
MOCVD; AlN; 极性; 原子级光滑;

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