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机译:通过MOCVD表征蓝宝石衬底上生长的AlN缓冲层和厚GaN层
机译:通过MOCVD表征蓝宝石衬底上生长的AlN缓冲层和厚GaN层
机译:在具有低温沉积AlN缓冲层的蓝宝石衬底上生长的GaInN / GaN层的原子尺度表征
机译:使用HT-AlN缓冲层在蓝宝石衬底上生长的高质量MOCVD GaN膜
机译:AlN缓冲层对MEPA-MOCVD生长的InN / AlN /蓝宝石异质结构的结构和光电性能的影响
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:通过MOCVD表征蓝宝石衬底上生长的AlN缓冲层和厚GaN层