Hong Kong University of Science and Technology (People's Republic of China).;
机译:蓝宝石衬底上氮化镓HEMT器件的高功率和线性性能
机译:III型氮化物HEMT的通道工程可增强设备性能
机译:III型氮化物HEMT的通道工程可增强设备性能
机译:蓝宝石和硅上III型氮化物光电和功率器件的生长-微结构-器件性能相关性
机译:III型氮化物HEMT的通道工程,以增强设备性能。
机译:通过使用双转移技术从蓝宝石转移到硅衬底来增强GaN基发光二极管的性能
机译:GaN HEMT器件在Si(111)和蓝宝石衬底上的高温行为。
机译:具有增强性能的III族氮化物和相关的基于量子点的光电子器件