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高建军; 袁志鹏; 吴德馨;
中科院微电子中心;
HEMT器件; 性能研究; 光纤通信; 调制器驱动电路;
机译:具有单片负驱动电压功能和数字电流模式控制器的双模式驱动器IC,用于耗尽型GaN HEMT
机译:3.3V驱动10GB / S前置型IC,使用高速GaAs-MESFET
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机译:通过MOCVD增强了蓝宝石衬底上的III型氮化物HEMT的器件性能。
机译:设计用于高性能光伏器件的新型单层β-CSe:蓝色磷的等电物
机译:用于RF-ID芯片的Schenkel电路中的全耗尽SOI MOSFET基二极管的性能前景
机译:Ta sub 2 N - Cr - au和Ta sub 2 N - Cr - pd - au杂化金属化体系的比较 - Dc电性能,电阻器老化,耐腐蚀性和铬层耗尽研究。
机译:具有全耗尽型逻辑晶体管和部分耗尽型存储晶体管的半导体存储器件
机译:具有全耗尽型逻辑晶体管和部分耗尽型存储晶体管的半导体器件的制造方法
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