在冶金级Si衬底上基于外延晶体硅薄膜的太阳能异质结电池设计

摘要

本发明的一种实施方式提供一种异质结太阳能电池。所述太阳能电池包括：冶金级硅(MG-Si)衬底；位于冶金级硅(MG-Si)衬底之上的重掺杂晶体硅层；位于重掺杂晶体硅层之上的轻掺杂晶体硅层；位于MG-Si衬底背侧上的背侧欧姆接触层；位于重掺杂晶体硅层之上的钝化层；位于钝化层之上的重掺杂非晶硅(a-Si)层；位于重掺杂a-Si层之上的透明导电氧化物(TCO)层；以及位于TCO层之上的前欧姆接触电极。