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【2h】

Growth of Freestanding Gallium Nitride (GaN) Through Polyporous Interlayer Formed Directly During Successive Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE) Process

机译：通过直接在连续氢化物气相外延（HVPE）过程中直接形成的多肽中间层（GaN）的自由型氮化镓（GaN）的生长

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Haixiao Hu; Baoguo Zhang; Lei Liu; Deqin Xu; Yongliang Shao; Yongzhong Wu; Xiaopeng Hao;
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年度 2020
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