Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

摘要

Кристалл нитрида галлия толщиной 5 mm был выращен методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на сапфировой подложке, от которой кристали отделился в процессе остывания. На ранней стадии был реализован трехмерный режим роста с последующей сменой па двумерный режим. В нескольких характерных областях образца исследованы спектры экситониого отражения, экситонной люминесценции и рамановского рассеяния. Анализ этих спектров и сравнение с ранее полученными данными для тонких эпитаксиальных слоев GaN е широким диапазоном легирования кремнием позволили сделать выводы о качестве кристаллической решетки в этих характерных областях образца.