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Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on

召开年：1998
召开地：Tsukuba
出版时间：-

会议文集：-

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1.High-efficient dual-junction InGaP/GaAs solar cells with improved tunnel interconnect

机译：具有改进的隧道互连的高效双结InGaP / GaAs太阳能电池
- 作者：Agui;T.;Takamoto;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
2.Highly controllable electrochemical etching of InP studied by voltammetry and scanned probe microscope

机译：伏安法和扫描探针显微镜研究的InP高度可控电化学蚀刻
- 作者：Kaneshiro;C.;Sato;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
3.Highly-selective dry etching of InAlAs over InGaAs assisted by ArF excimer laser

机译：ArF准分子激光辅助在InGaAs上进行InAlAs的高选择性干法刻蚀
- 作者：Takazawa;H.;Takatani;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
4.High-output-voltage waveguide photodiode employing uni-traveling-carrier structure

机译：采用单行进载流子结构的高输出电压波导光电二极管
- 作者：Muramoto;Y.;Kato;K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
5.High-performance 0.1-/spl mu/m-gate enhancement-mode InAlAs/InGaAs HEMTs using two-step-recessed gate technology

机译：采用两步嵌入式栅极技术的高性能0.1 / spl微米/米栅极增强模式InAlAs / InGaAs HEMT
- 作者：Suemitsu;T.;Yokoyama;H.
- 会议名称：《》 | 1998年
6.High-temperature characteristics of 1.3-/spl mu/m SSC-ASM-PBH LDs with selectively grown multiple-stripe recombination layers

机译：具有选择性生长的多条带重组层的1.3- / splμm/ m SSC-ASM-PBH LD的高温特性
- 作者：Furushima;Y.;Yamazaki;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
7.History of development, present status market and future of InP bulk crystals

机译：InP块状晶体的发展历史，现状市场和未来
- 作者：Morioka;M.;Yabuhara;Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
8.Impact ionization effects on the microwave performance of InAs channel HFETs: the role of channel quantization

机译：冲击电离对InAs通道HFET微波性能的影响：通道量化的作用
- 作者：Bolognesi;C.R.;Dvorak;M.W.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
9.Improved optical properties of strain-induced quantum dots self-formed in GaP/InP short period superlattices

机译：GaP / InP短时超晶格中自形成的应变诱导量子点的光学性质的改善
- 作者：Fudeta;M.;Asahi;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
10.Improved selective area growth properties in metalorganic vapor phase epitaxy by adding HCl

机译：通过添加HCl改善金属有机气相外延中的选择性区域生长特性
- 作者：Tsuchiya;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
11.Improvement of crystalline quality of 3-inch InP wafers for microelectronics applications

机译：改善微电子应用中3英寸InP晶片的晶体质量
- 作者：Gondet;S.;Duffar;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
12.Improvement of hetero-interface abruptness in MOVPE growth of InGaAs/InP quantum wells by in-situ kinetic ellipsometry

机译：InGaAs / InP量子阱MOVPE生长中异质界面突变的原位动力学椭圆改进
- 作者：Sudo;S.;Nakano;Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
13.Improvement of the surface quality of InP wafers using TOF-SIMS as characterisation

机译：使用TOF-SIMS表征提高InP晶片的表面质量
- 作者：Thomas;N.;Jacob;G.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
14.InAs/sub x/P/sub 1-x/ V-groove quantum wires

机译：InAs / sub x / P / sub 1-x / V槽量子线
- 作者：Kappelt;M.;Turck;V.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
15.InAs-dot/GaAs structures site-controlled by in situ EB lithography and self-organizing MBE growth

机译：InAs-dot / GaAs结构受原位EB光刻技术控制并自组织MBE生长
- 作者：Kohmoto;S.;Ishikawa;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
16.Influence of strain compensation on structural and electrical properties of InAlAs/InGaAs HEMT structures grown on InP

机译：应变补偿对InP上生长的InAlAs / InGaAs HEMT结构和电性能的影响
- 作者：Letarte;X.;Rojo-Romeo;P.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
17.Influence of thermal stress on I-V characteristics and low-frequency noise of AlGaInP UHB-LEDs

机译：热应力对AlGaInP UHB-LED的I-V特性和低频噪声的影响
- 作者：Berntgen;J.;Lieske;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
18.InGaAs bulk crystal growth for high T/sub 0/ semiconductor lasers

机译：用于高T / sub 0 /半导体激光器的InGaAs块状晶体生长
- 作者：Nishijima;Y.;Nakajima;K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
19.InGaAs photodetector with integrated biasing network for mm-wave applications

机译：具有集成偏置网络的InGaAs光电探测器，用于毫米波应用
- 作者：Trommer;D.;Umbach;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
20.InP HBT technology and applications

机译：InP HBT技术与应用
- 作者：Streit D.C.;Cowles J.C.;Kobayashi K.W.;Gutierrez-Aitken A.;Block T.R.;Wojotowicz M.;Yamada F.;Kaneshiro E.;Tran L.T.;Grossman C.;Li-Wu Yang;Lammert M.;Leslie G.;Steel V.;Denning D.;Oki A.K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
21.InP in HBTs by vertical and lateral wet etching

机译：垂直和横向湿法蚀刻在HBT中的InP
- 作者：Matine N.;Dvorak M.W.;Pelouard J.L.;Pardo F.;Bolognesi C.R.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
22.InP light emitting diodes on Si substrates integrated with back-surface diffractive lenses

机译：集成有背面衍射透镜的Si基板上的InP发光二极管
- 作者：Wada;H.;Sasaki;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
23.InP-based devices and integrated circuits for millimeter-wave sensor and communication systems

机译：用于毫米波传感器和通信系统的基于InP的设备和集成电路
- 作者：Dickmann;J.;Berg;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
24.InP-based high sensitivity pin/HEMT/HBT monolithic integrated optoelectronic receiver

机译：基于InP的高灵敏度引脚/ HEMT / HBT单片集成光电接收器
- 作者：Kiziloglu;K.;Yung;M.W.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
25.InP-based modulator array antennas at 1.06 /spl mu/m

机译：1.06 / spl mu / m的基于InP的调制器阵列天线
- 作者：Hendrix;J.;Flamand;G.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
26.In-situ characterization and modeling of MOVPE for optoelectronic devices

机译：光电器件MOVPE的原位表征和建模
- 作者：Nakano;Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
27.Investigation of size fluctuations in quantum wires by micro-luminescence

机译：通过微发光研究量子线中的尺寸波动
- 作者：Cingolani;R.;Sogawa;F.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
28.Ka-band SPSTs in InP-based technology using coplanar waveguides

机译：使用共面波导的基于InP的技术中的Ka波段SPST
- 作者：Ziegler V.;Berg M.;Tobler H.;Wolk C.;Deufel R.;Dickmann J.;Trasser A.;Schumacher H.;Alekseev E.;Pavlidis D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
29.Laser/waveguide integration utilizing selective area MOMBE regrowth for photonic IC applications

机译：利用选择性区域MOMBE再生长的激光/波导集成，用于光子IC应用
- 作者：Kunzel;H.;Ebert;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
30.Latest developments in VGF technology: GaAs, InP, and GaP

机译：VGF技术的最新发展：GaAs，InP和GaP
- 作者：Young M.;Liu X.;Zhang D.;Zhu M.;Hu X.Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
31.Long-wavelength lasing from InAs self-assembled quantum dots on (311)B InP by gas-source molecular beam epitaxy

机译：气源分子束外延从（311）B InP上的InAs自组装量子点发射长波长激光
- 作者：Nishi;K.;Yamada;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
32.Low damage and selective gate recess recess etching of InAlAs/InGaAs HEMTs using fluorine and chlorine gas mixtures

机译：使用氟和氯气混合物对InAlAs / InGaAs HEMT进行低损伤和选择性栅极凹槽的凹槽蚀刻
- 作者：Lai;L.S.;Kao;H.C.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
33.Low driving current 1.3-/spl mu/m beam-expander integrated laser diode with n-type modulation doped multiple quantum wells

机译：具有n型调制掺杂的多量子阱的低驱动电流1.3- / splμ/ m扩束器集成激光二极管
- 作者：Sato;H.;Komori;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
34.Low noise InAlAs/InGaAs HEMTs grown by MOVPE

机译：MOVPE生产的低噪声InAlAs / InGaAs HEMT
- 作者：Docter D.P.;Elliott K.R.;Schmitz A.E.;Kiziloglu K.;Brown J.J.;Harvey D.S.;Karatnicki H.M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
35.Low threshold 1.3 /spl mu/m InAsP MQW lasers using n-type modulation doping grown by gas-source molecular-beam epitaxy

机译：使用气源分子束外延生长的n型调制掺杂的低阈值1.3 / spl mu / m InAsP MQW激光器
- 作者：Shimizu;H.;Kumada;K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
36.Low threshold CW lasing of closely-stacked self-organized InAs/GaAs quantum dots

机译：紧密堆积的自组织InAs / GaAs量子点的低阈值CW激光
- 作者：Mukai;K.;Nakata;Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
37.Low-noise bias reliability of AlInAs/GaInAs MODFETs with linearly graded low-temperature buffer layers grown on GaAs substrates

机译：具有在GaAs衬底上生长的线性渐变低温缓冲层的AlInAs / GaInAs MODFET的低噪声偏置可靠性
- 作者：Wakita;A.S.;Rohdin;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
38.Low-power operation of InP-based DHBT's for high bit rate circuit applications: reduction of saturation voltage (V/sub sat/)

机译：基于InP的DHBT在高比特率电路应用中的低功耗工作：降低饱和电压（V / sub sat /）
- 作者：Mba;J.;Caffin;D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
39.Low-voltage, high-speed AlSb/InAs HEMTs

机译：低压高速AlSb / InAs HEMT
- 作者：Boos J.B.;Kruppa W.;Park D.;Bennett B.R.;Bass R.;Yang M.J.;Shanabrook B.V.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
40.Luminescence study on GaInP doped with Er by OMVPE

机译：OMVPE掺杂Er的GaInP的发光研究
- 作者：Fujiwara Y.;Ito T.;Kawamoto T.;Takeda Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
41.Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) material growth and application to InP-based electronic devices

机译：金属有机化学气相沉积（MOCVD）材料的生长及其在基于InP的电子设备中的应用
- 作者：Pavlidis;D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
42.MOCVD grown AlInAs/GaInAs short-period-superlattice resonant-tunneling transistor(SPSRTT)

机译：MOCVD生长的AlInAs / GaInAs短周期超晶格谐振隧道晶体管（SPSRTT）
- 作者：Wen-Chau Liu;Shiou-Yang Cheng
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
43.Model of defect formation in annealed undoped and Fe-doped liquid encapsulated Czochralski InP

机译：退火的未掺杂和铁掺杂的液态Czochralski InP缺陷形成模型
- 作者：Zhao Youwen;Fung;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
44.Modification of energy relaxation of InGaAs quantum dots by postgrowth thermal annealing

机译：后生长热退火对InGaAs量子点能量弛豫的修正
- 作者：Finger;L.;Nishioka;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
45.Monolithically integrated InP-based minority logic gate using an RTD/HBT heterostructure

机译：使用RTD / HBT异质结构的单片集成基于InP的少数逻辑门
- 作者：Lin;C.H.;Yang;K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
46.MOVPE growth of GaNAs using tertiarybutylarsine (TBA) and dimethylhydrazine (DMHy)

机译：使用叔丁基ar（TBA）和二甲基肼（DMHy）的GaNA的MOVPE生长
- 作者：Moto;A.;Tanaka;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
47.Narrow-stripe selective MOVPE for high-quality InGaAsP MQWS and its application to photonic integrated circuits

机译：高质量InGaAsP MQWS的窄带选择性MOVPE及其在光子集成电路中的应用
- 作者：Sasaki;T.;Yamaguchi;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
48.New method for reduction of carrier lifetime in semiconductor optical amplifier using assist light

机译：使用辅助光减少半导体光放大器中载流子寿命的新方法
- 作者：Tsurusawa;M.;Usami;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
49.New results for nonstoichiometric InP grown by low temperature MBE

机译：低温MBE生长非化学计量InP的新结果
- 作者：Docter D.P.;Ibbetson J.P.;Gao Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
50.New scanning photoluminescence technique for quantitative mapping the surface recombination velocity in InP and related materials

机译：用于定量绘制InP和相关材料中表面重组速度的新扫描光致发光技术
- 作者：Krawczyk;S.K.;Bejar;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
51.Nonlinear optical gains in polarization switching of semiconductor lasers

机译：半导体激光器偏振切换中的非线性光学增益
- 作者：Takahashi;Y.;Neogi;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
52.20 gbit/s modulation of 1.55 /spl mu/m compressively strained InGaAs/InAlGaAs/InP multiple quantum well ridge laser diodes grown by solid source molecular beam epitaxy

机译：固态源分子束外延生长的1.55 / spl mu / m压缩应变InGaAs / InAlGaAs / InP多量子阱脊激光二极管的20 gbit / s调制
- 作者：Kiefer;R.;Losch;R.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
53.23 GHz monolithically integrated InP/InGaAs PIN/HBT-receiver with 12 THz/spl Omega/ gain-bandwidth product

机译：具有12 THz / spl Omega /增益带宽积的23 GHz单片集成InP / InGaAs PIN / HBT接收器
- 作者：Huber;D.;Bitter;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
54.4-5 ps optical pulse generation with 40 GHz train from low driving-voltage modulator modules

机译：低驱动电压调制器模块以40 GHz列产生4-5 ps光脉冲
- 作者：Wakita;K.;Yoshino;K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
55.48 GHz static frequency divider in ultrafast transferred-substrate heterojunction bipolar transistor technology

机译：超快传输衬底异质结双极晶体管技术中的48 GHz静态分频器
- 作者：Pullela;R.;Mensa;D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
56.Abnormal Zn diffusion along slip dislocation of InP/InGaAs/InP PIN photodiode

机译：Zn沿着InP / InGaAs / InP PIN光电二极管的滑脱位错扩散
- 作者：Iwasaki;T.;Iguchi;Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
57.Aerosol fabrication of nanocrystals of InP and related materials

机译：气溶胶法制备InP和相关材料的纳米晶体
- 作者：Deppert K.;Bovin J.-O.;Magnusson M.H.;Malm J.-O.;Svensson C.;Samuelson L.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
58.Novel nanofabrication process for InAs/AlGaSb heterostructures utilizing AFM oxidation

机译：利用AFM氧化的InAs / AlGaSb异质结构的新型纳米制造工艺
- 作者：Sasa;S.;Ikeda;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
59.Optical characterization of the energy gap of MOVPE-grown InAsBi

机译：MOVPE生长的InAsBi的能隙的光学表征
- 作者：Okamoto H.;Oe K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
60.Optical properties of In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As layers and In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As quantum well structures grown on 111B InP substrates by molecular beam epitaxy

机译：在111 B InP衬底上生长的In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As层和In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As量子阱结构的光学性质通过分子束外延
- 作者：Kawamura;Y.;Kamada;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
61.Optoelectronic logic gate monolithically integrating resonant tunneling diodes and uni-traveling-carrier photo diode

机译：光电逻辑门单片集成谐振隧穿二极管和单行进载流光电二极管
- 作者：Akeyoshi;T.;Shimizu;N.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
62.Over 1-Tbit/s demultiplexing using low-temperature-grown InGaAs/InAlAs multiple quantum wells

机译：使用低温生长的InGaAs / InAlAs多量子阱以1Tbit / s的速度进行多路分解
- 作者：Kobayashi;H.;Takahashi;R.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
63.Oxide-free InP MIS structures having an ultra-narrow silicon surface quantum well

机译：具有超窄硅表面量子阱的无氧化物InP MIS结构
- 作者：Takahashi;H.;Hasegawa;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
64.Passivation of InP with thin layers of MBE-grown CdS

机译：用MBE生长的CdS薄层钝化InP
- 作者：Dauplaise H.M.;Vaccaro K.;Davis A.;Waters W.D.;Lorenzo J.P.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
65.Passivation of InP-based heterostructure bipolar transistors-relation to surface Fermi level

机译：基于InP的异质结构双极晶体管的钝化-与表面费米能级的关系
- 作者：Kikawa;T.;Takatani;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
66.Photoelastic characterization of residual strain in MWA SI InP crystal wafers

机译：MWA SI InP晶体晶片中残余应变的光弹性特征
- 作者：Fukuzawa;M.;Herms;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
67.Photoelastic measurement of chip-bonding induced strains by infrared polariscope

机译：红外偏光镜对芯片键合诱发应变的光弹性测量
- 作者：Chu;T.;Yamada;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
68.Photonic bandgap crystal InGaAsP membrane microresonators

机译：光子带隙晶体InGaAsP膜微谐振器
- 作者：Scherer A.;DUrso B.;Painter O.;Lee R.;Yariv A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
69.Post annealing effects on InP single crystals grown by liquid encapsulated Czochralski method

机译：退火对液封直拉法生长的InP单晶的影响
- 作者：Iwasaki;K.;Tanaka;Y.
- 会议名称：《》 | 1998年
70.Power performance of PNP InAlAs/InGaAs HBTs

机译：PNP InAlAs / InGaAs HBT的功率性能
- 作者：Sawdai D.;Zhang X.;Pavlidis D.;Bhattacharya P.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
71.Power-handling capability of W-band InGaAs pin diode switches

机译：W波段InGaAs PIN二极管开关的功率处理能力
- 作者：Alekseev E.;Cui D.;Pavlidis D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
72.Precise phase-controlled flexible grating delineated by weighted-dose electron beam lithography

机译：精确剂量控制电子束光刻技术描绘的可控相位柔性光栅
- 作者：Muroya;Y.;Sato;K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
73.Pressure dependence of photoluminescence in GaAs/ordered GaInP interface

机译：GaAs /有序GaInP界面中光致发光的压力依赖性
- 作者：Kobayashi;T.;Ohmae;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
74.Process damage in chemically assisted ion beam etching of InP/GaInAsP

机译：InP / GaInAsP的化学辅助离子束蚀刻中的工艺损伤
- 作者：Anand;S.;Carlstrom;C.F.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
75.Progress in GaInNAs semiconductor lasers

机译：GaInNAs半导体激光器的进展
- 作者：Kondow M.;Larson M.C.;Kitatani T.;Nakahara K.;Uomi K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
76.Proposal of novel InGaAsP/InP multi-mode interference photonic switches

机译：新型InGaAsP / InP多模干涉光子开关的建议
- 作者：Nagai;S.;Kogure;N.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
77.Pulse-mode selective MOVPE method for high-quality strained InGaAsP MQW structure

机译：高质量应变InGaAsP MQW结构的脉冲模式选择性MOVPE方法
- 作者：Sakata;Y.;Inomoto;Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
78.Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by MOCVD using tertiarybutylarsine

机译：叔丁基ar通过MOCVD生长的GaInNAs / GaAs量子阱的质量改善
- 作者：Pan;Z.;Miyamoto;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
79.Quantitative analysis of the arsenic distribution in AsH/sub 3/ treated InAs/sub x/P/sub 1-x//InP single quantum well by grazing incidence X-ray reflectivity and photoluminescence

机译：通过掠入射X射线反射率和光致发光定量分析AsH / sub 3 / InAs / sub x / P / sub 1-x // InP单量子阱中砷的分布
- 作者：Youngboo Moon;Euijoon Yoon
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
80.Recent progress and future prospect of optical communication systems using InP based opto-electronic devices

机译：使用基于InP的光电设备的光通信系统的最新进展和未来前景
- 作者：Kobayashi;K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
81.Reduction of lattice relaxation in thick strained InAs layer during growth interruption

机译：减少生长中断过程中厚应变InAs层的晶格弛豫
- 作者：Nakayama;T.;Miyamoto;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
82.Selective-area MOCVD growth for novel 1.3 /spl mu/m DFB laser diodes with graded grating

机译：带有梯度光栅的新型1.3 / splμ/ m DFB激光二极管的选择性区域MOCVD生长
- 作者：Takiguchi;T.;Watanabe;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
83.Semiconductor optical devices for WDM networks

机译：WDM网络的半导体光学设备
- 作者：Yoshikuni Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
84.Side-mode suppression of optical add and drop multiplexer utilizing vertically coupled InGaAsP waveguides

机译：利用垂直耦合InGaAsP波导的光分插复用器的侧模抑制
- 作者：Horita;M.;Tanaka;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
85.Simulated fabrication of heterojunction bipolar transistors using process technology CAD tools

机译：使用制程技术CAD工具模拟异质结双极晶体管的制造
- 作者：Fields;C.H.;Thomas;S.;III
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
86.Size-controlled decananometer InGaAs quantum wires grown by selective MBE on InP

机译：InP上通过选择性MBE生长的尺寸受控的癸烷计InGaAs量子线
- 作者：Muranaka;T.;Okada;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
87.Spin-polarized excitons in long-range ordered Ga/sub 0.5/In/sub 0.5/P

机译：远距离有序Ga / sub 0.5 / In / sub 0.5 / P中的自旋极化激子
- 作者：Kita;T.;Bhattacharya;K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
88.Strain compensated In/sub 1-x/Ga/sub x/As (x>0.47) quantum well photodiodes for extended wavelength operation

机译：应变补偿的In / sub 1-x / Ga / sub x / As（x> 0.47）量子阱光电二极管，用于扩展波长操作
- 作者：Dries;J.C.;Gokhale;M.R.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
89.Strain-compensated MQW InGaAsP/InGaAsP gain- and index-coupled laser arrays grown by MOVPE under N/sub 2/

机译：MOVPE在N / sub 2 /下生长的应变补偿MQW InGaAsP / InGaAsP增益和折射率耦合激光器阵列
- 作者：Piataev;V.;Kuphal;E.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
90.Strong correlation between interface microstructure and barrier height in n-InP Schottky contacts formed by in situ electrochemical process

机译：原位电化学过程形成的n-InP肖特基接触中界面微观结构与势垒高度之间的强相关性
- 作者：Sato;T.;Kaneshiro;C.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
91.Structural uniformity improvements by control of extra side facets in MBE growth of InP-based InGaAs ridge quantum wires

机译：通过控制基于InP的InGaAs脊量子线MBE生长中多余的侧面来改善结构均匀性
- 作者：Kihara;M.;Fujikura;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
92.Study of chemical reactions at metal-InP interfaces formed by sputter deposition of Pt and Ti

机译：溅射沉积Pt和Ti形成的金属-InP界面化学反应的研究
- 作者：Takeyama;M.B.;Noya;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
93.Study of Raman intensity of LO phonon modes in InGaAsP quaternary alloys grown on InP

机译：InP上生长的InGaAsP四元合金中LO声子模的拉曼强度研究
- 作者：Sugiura;T.;Hase;N.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
94.Suppression of carrier accumulation at the epilayer/substrate interface of InSb grown on GaAs and InP

机译：在GaAs和InP上生长的InSb的外延层/底物界面处的载流子积累的抑制
- 作者：Tanaka;T.;Washima;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
95.Surface deformation phenomena induced by electron-beam irradiation in InGaAs/AlGaAs strained layers on GaAs100 and 311B substrates

机译：GaAs 100和311 B衬底上InGaAs / AlGaAs应变层中电子束辐照引起的表面变形现象
- 作者：Ogawa;T.;Kawase;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
96.Surface passivation of InGaAs/InP beterostructures using UV-irradiation and ozone

机译：利用紫外线和臭氧对InGaAs / InP异质结构进行表面钝化
- 作者：Driad;R.;Lu;Z.H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
97.Surface-grating Bragg reflector lasers using deeply etched groove formed by reactive beam etching

机译：使用通过反应光束蚀刻形成的深蚀刻凹槽的表面光栅布拉格反射器激光器
- 作者：Oku;S.;Kondo;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
98.Systematics of electrical conductivity across InP to GaAs wafer fused interfaces

机译：InP到GaAs晶片熔合界面的电导率系统
- 作者：Hammar;M.;Wennekes;F.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
99.TEM evaluation of defects in GaAs/InAs 3D-layer/GaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy

机译：TEM评估分子束外延生长的GaAs / InAs 3D层/ GaAs异质结构中的缺陷
- 作者：Ueda;O.;Nakata;Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年
100.Temperature dependence of luminescence decay time of InP quantum disks

机译：InP量子盘的发光衰减时间与温度的关系
- 作者：Okuno;T.;Hong-Wen Ren
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1998 International Conference on》 | 1998年