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声明
前言
1磷化铟(InP)材料简介
§1.1磷化铟(InP)材料的基本物理性质及应用范围
§1.2InP体单晶材料生长概述
§1.3半绝缘InP单晶材料制备方法
§1.4本文研究内容简介
2 InP中的点缺陷及材料表征评价技术
§2.1引言
§2.2磷化铟晶格中点缺陷的类型
§2.3材料表征评价技术
2.3.1霍尔效应(HALL)测量电阻率和迁移率
2.3.2热激电流谱(TSC)测量深能级缺陷的原理
3半绝缘InP中的缺陷及电学性质的研究
§3.1引言
§3.2实验
§3.3实验结果及讨论
§3.4结论
4半绝缘InP的电学补偿分析
§4.1引言
§4.2电阻率和迁移率
§4.3半绝缘InP的电学补偿分析
§4.4实验过程
§4.5实验结果及讨论
§4.6结论
5结论
参考文献
附件
致谢