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苗杉杉; 赵有文; 董志远; 邓爱红; 杨俊; 王博;
四川大学物理学院应用物理系;
中国科学院半导体研究所;
InP; 铁激活; 退火; 半绝缘;
机译:非掺杂半绝缘InP中补偿缺陷的正电子寿命研究
机译:用于无铝GaInP / GaInAs高电子迁移率晶体管的铁掺杂半绝缘InP缓冲层的生长和特性
机译:埋有半绝缘铁掺杂InP的高度可靠的1.55μmGaInAsP激光二极管
机译:以元素铁和二茂铁为掺杂源的低压氢化物VPE系统中半绝缘InP:Fe的生长
机译:半霍斯勒材料的拓扑绝缘体状态和过量掺杂的铜酸盐的动量密度研究。
机译:太赫兹光谱区中半绝缘掺铁InP的介电性能
机译:未掺杂半绝缘Inp中补偿缺陷的正电子寿命研究
机译:质子轰击和退火后Fe掺杂半绝缘Inp的电学特性
机译:半绝缘InP单晶和半绝缘InP单晶衬底的生产方法
机译:半绝缘InP单晶和半绝缘InP单晶基体的生产
机译:半绝缘性InP单晶和半绝缘性InP单晶的产生
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