退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
朱顺才;
南京电子器件研究所;
掺铬晶体; 砷化镓; 电学性质; 均匀性;
机译:辐照对LEC生长半绝缘GAAS单晶的微核化的影响
机译:10 MeV电子辐照未掺杂半绝缘LEC GaAs中EL2缺陷的研究
机译:LEC技术中轻掺杂铬Si-GaAs单晶的研究
机译:掺钇的氧化oxide纳米晶体薄膜的结构,光学和电学性质。
机译:HfxTi1-xO2高介电常数栅绝缘子沉积在锗衬底上的电学性质和界面研究
机译:3英寸,半绝缘,垂直梯度冻结GaAs晶片的均匀性
机译:光诱导瞬态光谱pITs研究未掺杂LEC(液体封装Czochralski)生长的半绝缘Gaas
机译:砷化镓产品的制造方法,装置以及半绝缘半绝缘GaAs单晶和半绝缘GaAs单晶
机译:掺Si的GaAs单晶锭及其制造方法,以及由掺Si的GaAs单晶锭制成的掺Si的GaAs单晶晶片
机译:掺Si的GaAs单晶锭及其制造方法,以及由掺Si的GaAs单晶锭生产的掺Si的GaAs单晶晶片
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。