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机译:通过一种新颖的蚀刻和清洁方法改善半绝缘InP衬底的表面质量
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductor, Chinese Academy of Science, P.O. Box 912, No. A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing 100083, People''s Republic of China|c|;
机译:通过两步蚀刻方法在(100)InP表面上形成均匀且方形的纳米孔阵列
机译:改进了FD-SOI技术中集成的凸起的源极和漏极的蚀刻和清洁方法
机译:蓝宝石衬底表面上高密度纳米坑的形成化学以及被腐蚀衬底上器件质量的GaN膜的原位腐蚀和生长机理
机译:氢化物VPE在反应离子刻蚀制造的P-InP衬底激光台面周围使InP:Fe半绝缘再生
机译:具有理想氢终止作用的化学蚀刻新表面清洁技术:silcon(111)和硅(100)表面的表面化学和形态。
机译:医院表面的清洁和消毒。与2014年相比2016年德国美因河畔法兰克福的医院的结构流程和结局质量有所改善
机译:用于生产设备质量INP(100)表面的优化清洁方法