机译:蓝宝石衬底表面上高密度纳米坑的形成化学以及被腐蚀衬底上器件质量的GaN膜的原位腐蚀和生长机理
Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan;
机译:通过金属有机化学气相沉积法在原位蚀刻蓝宝石衬底上进行无掩模横向外延生长GaN膜
机译:在具有高密度纳米坑的蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜和基于GaN的发光二极管,它们在原位金属有机气相外延反应器中形成
机译:GaN在湿法刻蚀蓝宝石衬底上生长的成核机理
机译:在蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜和GaN的发光二极管,具有原位金属有机气相外延反应器的高密度纳米陨石液
机译:在r面蓝宝石衬底上生长异质外延单晶铌酸铅镁钛酸铅薄膜。
机译:通过无掩模化学刻蚀制备的涂有银纳米颗粒的蓝宝石图案衬底上的GaN基发光二极管的性能
机译:研究在具有V形凹坑粗糙表面的化学湿法蚀刻图案化蓝宝石衬底上生长的GaN基发光二极管
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻