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Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.

召开年：1991
召开地：Cardiff
出版时间：-

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1.Third International Conference. Indium Phosphide and Related Materials (Cat. No.91CH2950-4)

机译：第三届国际会议。磷化铟及相关材料（目录号91CH2950-4）
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
2.US research activities on InP-based microwave and millimeter-wave devices and circuits

机译：美国在基于InP的微波和毫米波设备和电路方面的研究活动
- 作者：Shupe;D.;Fathimulla;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
3.Enhanced Schottky barrier InP MESFETs

机译：增强型肖特基势垒InP MESFET
- 作者：Abid Z.;Gopinath A.;Williamson F.;Nathan M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
4.16-element grown-junction InGaAs/InP PIN photodetector arrays on 2' diameter InP substrates

机译：在2“直径InP衬底上的16元素生长结InGaAs / InP PIN光电探测器阵列
- 作者：Spear;D.A.H.;Lee;W.S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
5.Semi-insulating InP:Fe regrowth by hydride VPE around P-InP substrate laser mesas fabricated by reactive ion etching

机译：氢化物VPE在反应离子刻蚀制造的P-InP衬底激光台面周围使InP：Fe半绝缘再生
- 作者：Lourdudoss;S.;Nilsson;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
6.AlInAs/GaInAs SAGM-APD

机译：AlInAs / GaInAs SAGM-APD
- 作者：Le Bellego Y.;Praseuth J.P.;Scavennec A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
7.An InAlAs/InAs MODFET

机译：InAlAs / InAs MODFET
- 作者：Eugster C.C.;Broekaert T.P.E.;del Alamo J.A.;Fonstad C.G.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
8.Analysis of DBE grown GaInAsP/InP heterostructures for 1.55 mu m lasers

机译：DBE生长的1.55μm激光器的GaInAsP / InP异质结构分析
- 作者：Gailhanou;M.;Goldstein;L.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
9.Annealing and bulk crystal growth of undoped InP under controlled P-pressure: a perspective for the preparation of undoped SI InP?

机译：未掺杂InP在受控P压力下的退火和块状晶体生长：制备未掺杂SI InP的一个视角？
- 作者：Hirt;G.;Hofmann;D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
10.Be doping of InP and GaInAs during metalorganic molecular beam epitaxy

机译：金属有机分子束外延过程中的InP和GaInAs掺杂
- 作者：Ritter;D.;Hamm;R.A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
11.Buried grating distributed feedback laser at lambda =1.51 mu m

机译：埋入式光栅分布式反馈激光器，λ= 1.51μm
- 作者：Andrews;J.T.;Vangieson;E.A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
12.Carrier confinement and feed-back correlation in InAlAs/InGaAs HEMTs on InP substrate

机译：InP衬底上InAlAs / InGaAs HEMT中的载流子限制和反馈相关性
- 作者：Kohn;E.;Dickmann;J.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
13.Carrier removal, temperature dependency and photoluminescence in heteroepitaxial InP solar cells

机译：异质外延InP太阳能电池中的载流子去除，温度依赖性和光致发光
- 作者：Weinberg;I.;Swartz;C.K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
14.CBE-grown InGaAs/InP QW structures: an extensive investigation

机译：CBE生长的InGaAs / InP QW结构：广泛研究
- 作者：Antolini A.;Bradley P.J.;Cacciatore C.;Campi D.;Gastaldi G.;Genova F.;Iori M.;Lamberti C.;Morello G.;Papuzza C.;Rigo C.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
15.Characteristics of Schottky junctions on H/sub 2-/ and PH/sub 3-/plasma treated InP

机译：H / sub 2- /和PH / sub 3- /等离子处理的InP的肖特基结特征
- 作者：Sugino;T.;Yamamoto;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
16.Characterization of InP and related materials by light scattering and photoluminescence

机译：通过光散射和光致发光表征InP和相关材料
- 作者：Steigmeier;E.F.;Auderset;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
17.Characterization of InP/InGaAs/InGaAsP using atmospheric and low pressure MOVPE

机译：使用大气压和低压MOVPE表征InP / InGaAs / InGaAsP
- 作者：Moerman;I.;Coudenys;G.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
18.Comparison of RF diode and magnetron sputtering for the fabrication of ITO/InP solar cells

机译：射频二极管和磁控溅射在ITO / InP太阳能电池制造中的比较
- 作者：Pearsall;N.M.;Forbes;I.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
19.Comparison of Zn and Mg incorporation in MOVPE InP/GaInAsP laser structures

机译：MOVPE InP / GaInAsP激光结构中锌和镁的掺入比较
- 作者：Veuhoff;E.;Baumeister;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
20.Contribution to the growth of InP and InGaAsP optoelectronic device materials by atmospheric- and low-pressure MOVPE using tertiarybutylphosphine

机译：使用叔丁基膦的大气压和低压MOVPE对InP和InGaAsP光电器件材料的生长做出贡献
- 作者：Ougazzaden;A.;Mellet;R.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
21.Cost effective manufacturing of high quality

机译：具有成本效益的高质量制造
- 作者：Shahid;M.A.;Simchock;F.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
22.Current-controlled liquid phase epitaxy of InAsP on InP substrates

机译：InP衬底上InAsP的电流控制液相外延
- 作者：Inubushi K.;Sakai S.;Hyakudai T.;Shintani Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
23.Determination of the interface structure of very thin GaInAs/InP quantum wells

机译：确定非常薄的GaInAs / InP量子阱的界面结构
- 作者：Streubel;K.;Scholz;F.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
24.Effect of structural parameters on InGaAs/InAlAs 2DEG characteristics

机译：结构参数对InGaAs / InAlAs 2DEG特性的影响
- 作者：Tischler;M.A.;Parker;B.D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
25.Effects of PCl/sub 3/ addition on ECR CH/sub 4//H/sub 2//Ar plasma etching of InP and InGaAs

机译：PCl / sub 3 /添加对InP和InGaAs的ECR CH / sub 4 // H / sub 2 // Ar等离子体蚀刻的影响
- 作者：Pearton;S.J.;Katz;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
26.Electrical and optical characteristics of Mg implanted semi-insulating InP

机译：镁离子注入半绝缘InP的电学和光学特性
- 作者：Krauz;P.;Rao;E.V.K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
27.Electrical and optical characterizations of Ga-doped or Sb-doped InP crystal

机译：Ga掺杂或Sb掺杂InP晶体的电学和光学特性
- 作者：Liu;X.;Ye;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
28.Electrical and optical properties of Ni/sup 3+/ in p-type InP

机译：Ni / sup 3 + /在p型InP中的电学和光学性质
- 作者：Korona;K.;Bremond;G.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
29.Electrical characterization of lattice-mismatched In/sub x/Ga/sub 1-x/As photodiode arrays for detection to 1.7 mu m

机译：晶格不匹配的In / sub x / Ga / sub 1-x / As光电二极管阵列的电学特征，可检测到1.7μm
- 作者：Ducroquet;F.;Pogany;D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
30.Electrical properties and thermal stability of semi-insulating InP crystals with different iron content

机译：不同铁含量的半绝缘InP晶体的电性能和热稳定性
- 作者：Fornari;R.;Curti;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
31.Fabrication of long wavelength QEICs using GaAs on InP epitaxial lift-off technology

机译：基于InP外延剥离技术的GaAs制备长波长QEIC
- 作者：Pollentier;I.;Demeester;P.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
32.Growth of

机译：成长
- 作者：Ejim;T.I.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
33.Growth of Be-doped InP by gas-source molecular beam epitaxy

机译：气源分子束外延生长Be掺杂InP
- 作者：Hakkarainen T.;Rakennus K.;Hovinen M.;Pessa M.;Asonen H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
34.Growth of high purity InP and fabrication of high sensitivity InP/GaInAs heterojunction phototransistors on silicon by OMVPE

机译：OMVPE在硅上生长高纯度InP和制造高灵敏度InP / GaInAs异质结光电晶体管
- 作者：Aina;L.;Mattingly;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
35.Growth of low dislocation density InP single crystals by the phosphorus vapor controlled LEC method

机译：磷蒸气控制LEC方法生长低位错密度InP单晶
- 作者：Kohiro;K.;Kainosho;K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
36.Growth of ternary III-V-compound semiconductors by MOVPE using novel liquid metalorganic In precursors

机译：使用新型液态金属有机In前驱物通过MOVPE生长三元III-V化合物半导体
- 作者：Scholz;F.;Harle;V.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
37.High barrier height Schottky diodes on n-InP by low temperature deposition

机译：通过低温沉积在n-InP上实现高势垒高度的肖特基二极管
- 作者：Shi;Z.Q.;Wallace;R.L.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
38.High performance diffused InGaAs JFETs in OEICs

机译：OEIC中的高性能扩散InGaAs JFET
- 作者：Mansfield C.;Newson D.J.;Birdsall P.;Quayle J.A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
39.High power and high temperature operation of 1.5 mu m wavelength strained-layer InGaAs/InGaAsP SIPBH lasers

机译：1.5微米波长应变层InGaAs / InGaAsP SIPBH激光器的高功率和高温操作
- 作者：Thijs;P.J.A.;Binsma;J.J.M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
40.High precision characterization in In/sub x/Ga/sub 1-x/As on InP

机译：InP上In / sub x / Ga / sub 1-x / As的高精度表征
- 作者：Estrera;J.P.;Duncan;W.M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
41.High purity InP grown by chemical beam epitaxy

机译：化学束外延生长的高纯度InP
- 作者：Rudra A.;Carlin J.F.;Pavesi L.;Piazza F.;Proctor M.;Ilegems M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
42.High quality pseudomorphic InAs/InP quantum wells grown by molecular beam epitaxy

机译：通过分子束外延生长的高质量拟态InAs / InP量子阱
- 作者：Hopkinson;M.;Claxton;P.A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
43.High resistivity layers in InP obtained by Co or Fe ion implantation and LPE regrowth

机译：通过Co或Fe离子注入和LPE再生长获得的InP中的高电阻层
- 作者：Vidimari;F.;Pellegrino;S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
44.High-frequency InP/InGaAs pin photodiodes with efficient response at short wavelengths

机译：高频InP / InGaAs引脚光电二极管，在短波长下具有高效响应
- 作者：Diadiuk;V.;Alexander;S.B.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
45.Highly uniform 2' phi Fe-doped InP epitaxial layer grown by N/sub 2/ carrier gas mixed chloride vapor phase epitaxy

机译：N / sub 2 /载气混合氯化物气相外延生长的高度均匀的2“ phi掺杂Fe的InP外延层
- 作者：Yoneyama;S.;Yoshimura;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
46.Highly uniform InGaAlP/InGaP/GaAs structures by low pressure MOVPE

机译：通过低压MOVPE实现高度均匀的InGaAlP / InGaP / GaAs结构
- 作者：McKee M.A.;Stall R.A.;Rose B.C.;Kim J.Y.;Lee J.H.;Bang D.S.;Kim J.R.;Inn Y.H.;Lee S.H.;Cho Y.L.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
47.High-speed monolithic coherent optical receiver with a waveguide coupler and lateral PIN photodiodes integrated on a InP substrate

机译：具有集成在InP衬底上的波导耦合器和横向PIN光电二极管的高速单片相干光接收机
- 作者：Yasuoka;N.;Sanada;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
48.Horizontal integration fabrication of a GaAs-on-InP opto-electronic integrated circuit (OEIC) using seeded-mask technology: four channel variable bandwidth optical receiver

机译：使用种子掩模技术的GaAs-on-InP光电集成电路（OEIC）的水平集成制造：四通道可变带宽光接收器
- 作者：OSullivan;P.J.;Allan;D.A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
49.Implantation damage in InP: thermal stability effects

机译：InP中的植入损伤：热稳定性影响
- 作者：Goltzene A.;Meyer B.;Schwab C.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
50.Implantation of high-energy Si and Be ions in InP and low-energy transition metal ions in InGaAs

机译：InP中注入高能Si和Be离子，InGaAs中注入低能过渡金属离子
- 作者：Rao;M.V.;Nadella;R.K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
51.Improved electronic properties of As-based III-V compound semiconductor surface stabilized with phosphorus

机译：磷稳定的As基III-V化合物半导体表面的改善的电子性能
- 作者：Gendry;M.;Krafft;F.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
52.Impurity effects on generation and motion of dislocations in InP

机译：杂质对InP位错产生和运动的影响
- 作者：Yonenaga I.;Sumino K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
53.Impurity induced disordering of GaInAs quantum wells with barriers of AlGaInAs or of GaInAsP (MQW waveguides)

机译：杂质诱导的具有AlGaInAs或GaInAsP（MQW波导）势垒的GaInAs量子阱无序
- 作者：Marsh;J.H.;Bradshaw;S.A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
54.InAlAs/In/sub x/Ga/sub 1-x/As HIGFETs (x

机译：适用于E / D FET逻辑应用的InAlAs / In / sub x / Ga / sub 1-x / As HIGFET（x <或= 0.53）
- 作者：Chan;Y.-J.;Pavlidis;D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
55.Influence of a surface layer on DC- and RF-performance of AlInAs/GaInAs HFETs

机译：表面层对AlInAs / GaInAs HFET的DC和RF性能的影响
- 作者：Dickmann;J.;Dambkes;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
56.Influence of domain formation on the V/sub ds/ dependence of noise and gate leakage in InGaAs FETs

机译：域形成对InGaAs FET中V / sub ds /噪声和栅极泄漏的依赖性的影响
- 作者：Newson;D.J.;Merrett;R.P.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
57.Influence of lattice parameter variations across n-InP-substrates on a complex of material properties of InP/InGaAsP-DHS

机译：n-InP衬底上晶格参数变化对InP / InGaAsP-DHS复合材料性能的影响
- 作者：Knauer;A.;Staske;R.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
58.Influence of the well composition and thickness in the GaInP/InP/GaInAs/InP structure for HEMT

机译：GaInP / InP / GaInAs / InP结构中阱组成和厚度对HEMT的影响
- 作者：Loualiche;S.;Le Corre;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
59.InGaAs/InP double-heterojunction bipolar transistors with graded-InGaAsP between InGaAs base and InP collector grown by metal organic chemical vapor deposition

机译：通过金属有机化学气相沉积法在InGaAs基极和InP集电极之间生长具有InGaAsP梯度的InGaAs / InP双异质结双极晶体管
- 作者：Ohkubo;M.;Iketani;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
60.InGaAs/InP OEIC's for optical computing

机译：InGaAs / InP OEIC用于光学计算
- 作者：Beyette F.R. Jr.;An X.;Feld S.A.;Hafich M.J.;Robinson G.Y.;Wilmsen C.W.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
61.InGaAs/InP submicron gate microwave power transistors for 20 GHz applications

机译：适用于20 GHz应用的InGaAs / InP亚微米栅极微波功率晶体管
- 作者：Johnson;G.A.;Biedenbender;M.D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
62.InGaAsP diode lasers with high intrinsic bandwidth

机译：具有高固有带宽的InGaAsP二极管激光器
- 作者：Schlafer J.;Meland E.;Lauer R.B.;Holmstrom R.;LaCourse J.;Su C.B.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
63.InP homojunction solar cells grown by gas-source molecular beam epitaxy

机译：气源分子束外延生长的InP同质结太阳能电池
- 作者：Zibin;J.P.;Rakennus;K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
64.InP Schottky diodes and MESFETs with enhanced barrier height using InP/sub x/O/sub y/ films

机译：使用InP / sub x / O / sub y /薄膜提高势垒高度的InP肖特基二极管和MESFET
- 作者：Kusumi;D.;Ohkubo;Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
65.InP/insulator interface properties: a comparison between UVCVD, DECR PECVD and 13.56 MHz PECVD

机译：InP /绝缘体界面特性：UVCVD，DECR PECVD和13.56 MHz PECVD之间的比较
- 作者：Proust;N.;Petitjean;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
66.Integrated high speed pin-diode grown by LP-MOVPE on selectively etched substrates

机译：LP-MOVPE在选择性刻蚀的基板上生长的集成式高速引脚二极管
- 作者：Reemtsma;J.H.;Kuebart;W.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
67.Ion implanted monolithically integrated planar InP/InGaAs/InP:Fe photoreceiver

机译：离子注入单片集成平面InP / InGaAs / InP：Fe光接收器
- 作者：Romer;D.;Albrecht;H.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
68.Laser properties of 1.35 mu m InGaAs/InGaAsP-separate-confinement-multi-quantum-well-structures

机译：1.35μmInGaAs / InGaAsP分离约束多量子阱结构的激光特性
- 作者：Mohrle;M.;Grutzmacher;D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
69.LEC-growth and characterization of n- and p-type Fe-doped InP

机译：LEC的生长和n和p型掺杂Fe的InP的表征
- 作者：Mosel F.;Seidl A.;Hofmann D.;Muller G.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
70.Low temperature deposition of SiO/sub 2/ on InP substrates by DECR PECVD

机译：通过DECR PECVD在InP衬底上低温沉积SiO / sub 2 /
- 作者：Plais;F.;Agius;B.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
71.Low-frequency gain dispersion, optical response, and 1/f noise in ion-implanted InP JFETs

机译：离子注入InP JFET中的低频增益色散，光学响应和1 / f噪声
- 作者：Kruppa;W.;Boos;J.B.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
72.Material characterisation of InGaAs/InAlAs heterostructure field effect transistors with heavily doped n-type InAlAs donor layer

机译：具有重掺杂n型InAlAs施主层的InGaAs / InAlAs异质结构场效应晶体管的材料表征
- 作者：Heedt;C.;Gottwald;P.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
73.MBE growth and electrical behavior of single and double Si delta -doped InGaAs-layers

机译：单和双Siδ掺杂InGaAs层的MBE生长和电学行为
- 作者：Passenberg;W.;Bach;H.G.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
74.MBE growth of very high electron mobility InAlAs/InGaAs/InP heterostructure

机译：MBE生长非常高的电子迁移率InAlAs / InGaAs / InP异质结构
- 作者：Tacano;M.;Sugiyama;Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
75.Measurement of conduction band discontinuity in pseudomorphic In/sub x/Ga/sub 1-x/As/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As heterostructures

机译：伪形In / sub x / Ga / sub 1-x / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As异质结构中导带不连续性的测量
- 作者：Huang;J.H.;Lalevic;B.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
76.MOCVD growth on nonplanar substrate for high performance monolithic integration of a buried ridge stripe DFB laser butt-joint to a passive waveguide

机译：在非平面基板上进行MOCVD生长，以将埋入的脊形条纹DFB激光对接至无源波导进行高性能单片集成
- 作者：Hornung;V.;Remiens;D.
- 会议名称：《》 | 1991年
77.Monolithic integrated laser DHBT OEICs for optical fibre communication

机译：用于光纤通信的单片集成激光器DHBT OEIC
- 作者：Kuhn;E.;Hache;C.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
78.Monolithically integrated In/sub 0.60/Ga/sub 0.47/As/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/InP photoreceivers with submicron devices

机译：具有亚微米器件的单片集成In / sub 0.60 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As / InP光接收器
- 作者：Lai;R.;Bhattacharya;P.K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
79.MOVPE growth of In-containing compounds by new TMI supply system

机译：通过新的TMI供应系统MOVPE生长含In的化合物
- 作者：Hidaka J.;Yamaguchi A.;Hirahara K.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
80.Nearly ideal Schottky contacts of n-InP

机译：n-InP的近乎理想的肖特基接触
- 作者：Shi Z.Q.;Anderson W.A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
81.New fabrication method for high frequency InP/InGaAsP buried heterostructure semiconductor lasers

机译：高频InP / InGaAsP掩埋异质结构半导体激光器的新制造方法
- 作者：Holmstrom;R.P.;Meland;E.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
82.Non-destructive thickness measurements of GaInAs, AlInAs, and InP multilayer structures

机译：GaInAs，AlInAs和InP多层结构的无损厚度测量
- 作者：Pickering;C.;Garawal;N.S.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
83.Non-equilibrium transport in ultra-fast InGaAs/InP heterostructure bipolar transistors

机译：超快速InGaAs / InP异质结构双极晶体管中的非平衡传输
- 作者：Laskar;J.;Nottenburg;R.N.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
84.1.55 mu m laser on 110 InP by GSMBE

机译：GAMBE在110 InP上使用1.55 um激光
- 作者：Zamkotsian;F.;Poingt;F.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
85.A 1.3 mu m InGaAsP ridge waveguide laser on GaAs and silicon substrates thin-film transfer

机译：在GaAs和硅衬底上的1.3微米InGaAsP脊形波导激光器的薄膜转移
- 作者：Shieh;C.L.;Chi;J.Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
86.A high speed low capacitance laser structure for integration

机译：用于集成的高速低电容激光器结构
- 作者：Ash R.M.;Robbins D.J.;Charles P.;Jones G.G.;Fell P.H.;Wood A.K.;Carr N.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
87.A reliable fabrication technique for very low resistance ohmic contacts to p-InGaAs using low energy Ar/sup +/ ion beam sputtering

机译：使用低能量Ar / sup + /离子束溅射技术对p-InGaAs进行极低电阻欧姆接触的可靠制造技术
- 作者：Stareev;G.;Umbach;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
88.A very wide spectrum superluminescent diode at 1.3 mu m

机译：1.3微米的超宽光谱超发光二极管
- 作者：Mikami;O.;Noguchi;Y.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
89.Novel InP-channel HEMTs grown by organometallic vapor phase epitaxy

机译：通过有机金属气相外延生长的新型InP沟道HEMT
- 作者：Aina L.;Mattingly M.;Burgess M.;Hempfling E.;Meerschaert A.;OConnor J.M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
90.On the current transport across isotype heterojunctions investigated on InP-based BRS-lasers

机译：基于InP的BRS激光器研究跨同型异质结的电流传输
- 作者：Bach;H.G.;Fidorra;F.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
91.Optical characterization of strained III-V compound semiconductor epilayers

机译：应变III-V化合物半导体外延层的光学表征
- 作者：Koteles;E.S.;Kenneson;D.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
92.Optimization and calibration of two-wavelength transmission for absolute thickness measurements of InGaAsP/InP layers

机译：InGaAsP / InP层绝对厚度测量的两波长传输的优化和校准
- 作者：Sartorius;B.;Brandstattner;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
93.Optimization of base doping for radiation hard InP solar cells

机译：辐射硬InP太阳能电池的基极掺杂优化
- 作者：Augustine G.;Rohatgi A.;Jokerst N.M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
94.Orthorhombic distortion of mismatched In/sub x/Ga/sub 1-x/As/InP heterostructures

机译：不匹配的In / sub x / Ga / sub 1-x / As / InP异质结构的正交畸变
- 作者：Bennett;B.R.;del Alamo;J.A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
95.P- and n-channel InAlAs/InGaAs heterojunction insulated gate FETs (HIGFETs) on InP

机译：InP上的P沟道和N沟道InAlAs / InGaAs异质结绝缘栅FET（HIGFET）
- 作者：Swirhun;S.;Nohava;T.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
96.Passivation of InP surfaces

机译：InP表面钝化
- 作者：Kulisch W.;Kiel F.;Bock A.;Frenck H.J.;Kassing R.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
97.Passivation technology using an ultrathin Si interface control layer for air-exposed InGaAs surfaces

机译：使用超薄Si界面控制层的钝化技术，用于空气暴露的InGaAs表面
- 作者：Hasegawa;H.;Akazawa;M.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
98.Photoluminescence investigation of InGaAs-InGaAsP multiquantum wells for laser devices

机译：InGaAs-InGaAsP多量子阱用于激光器件的光致发光研究
- 作者：Rao;E.V.K.;Ougazzaden;A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
99.Photoluminescence lifetime measurements in InP wafers

机译：InP晶片中的光致发光寿命测量
- 作者：Landis G.A.;Jenkins P.;Weinberg I.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年
100.Photoreflectance study of plasma etching effect on InP

机译：等离子刻蚀对InP的光反射研究
- 作者：He L.;Shi Z.Q.;Anderson W.A.
- 会议名称：《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》 | 1991年