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Swirh.S; 曾庆明;
不详;
p-沟; n-沟; 异质结; HIGFET; InP衬底;
机译:使用ZnS / ZnMgS / ZnS异质外延堆栈作为绝缘体上硅衬底上的隧道绝缘体的量子点栅三态和非易失性存储场效应晶体管
机译:关于InP衬底上In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As异质结FET中的肖特基势垒栅二极管的非理想特性
机译:微波激发等离子体增强化学气相沉积形成的用于硅衬底上的AIGaN / GaN杂化金属-氧化物-半导体异质结场效应晶体管的高完整性SiO_2栅极绝缘体
机译:InP上的P沟道和N沟道InAlAs / InGaAs异质结绝缘栅FET(HIGFET)
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:光诱导的超稀释的远程障碍效应 Gaas异质结绝缘栅中的二维孔 场效应晶体管
机译:a异质结和介电绝缘栅Inp场效应晶体管
机译:InP衬底上的AlPSb / InP单异质结双极晶体管,用于高速,高功率应用
机译:在InP衬底上制造用于高速,高功率应用的AlPSb / InP单异质结双极晶体管的方法
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