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i—GaAlAs／GaAs异质结绝缘栅场效应晶体管的静态特性研究

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本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的I_D-V_D-V_G,I_(DS)-V_G,G_m,和C_G等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在V_G<2V,I_D

著录项

来源
《电子科学学刊》|1991年第3期|286-292|共7页
作者
王德宁; 顾聪;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类绝缘栅场效应器件;
关键词
异质结; 场效应晶体管; 绝缘;

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