首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Исследование влияния параметров затворной областина статические характеристики полевых СВЧ-транзисторовна основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs-InGaAs-GaAs
【24h】

Исследование влияния параметров затворной областина статические характеристики полевых СВЧ-транзисторовна основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs-InGaAs-GaAs

机译:基于伪形AlGaAs-InGaAs-GaAs异质结构的栅区参数对微波场效应晶体管静态特性的影响研究

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Рассмотрены результаты численного моделирования и экспериментального исследования влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфныхгетероструктур AlGaAs-InGaAs-GaAs (р-НЕМТ). Продемонстрирована возможность корректного моделирования статических характеристик реальных приборных конструкций р-НЕМТ-транзисторов с использованием программного пакета ТСАО фирмы SILVACO. Показана принципиальная необходимость использования селективного травления затворной канавки для контролируемого и воспроизводимого получения требуемых приборных характеристик.
机译:考虑了基于伪非晶AlGaAs-InGaAs-GaAs(p-HEMT)异质结构的栅极区域参数对微波场效应晶体管静态特性影响的数值模拟和实验研究结果。已经证明了使用SILVACOTСAO软件包正确建模p-HEMT晶体管的实际仪器结构的静态特性的可能性。示出了使用选择性刻蚀栅极凹槽以受控且可再现地获得所需仪器特性的基本必要性。

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号