半导体物理学属于《中国图书分类法》中的三级类目,该分类相关的期刊文献有5196篇,会议文献有396篇,学位文献有1943篇等,半导体物理学的主要作者有肖景林、申德振、范希武,半导体物理学的主要机构有中国科学院半导体研究所、中国科学院、内蒙古民族大学等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
插入NiCr合金层对SnO_(2)/Ag/SnO_(2)多层结构透明导电薄膜热稳定性的影响
摘要: 室温下通过磁控溅射技术制备了SnO_(2)/Ag/SnO_(2)(SAS)、SnO_(2)/Ag/NiCr/SnO_(2)(SANS)和SnO_(2)/NiC...
2.[期刊]
摘要: 利用密度泛函理论(density function theory,DFT)模拟计算了二维Ⅳ-Ⅵ硫族化合物(MXs:SnS、SnSe、SnTe、GeS、GeSe...
3.[期刊]
摘要: 为研究不同层数MoS_(2)的光学性质以及缺陷对单层MoS_(2)光学性质的影响,利用基于密度泛函理论的第一性原理,计算1~3层MoS_(2)的能带结构、拉曼...
4.[期刊]
摘要: 采用低成本的水热法制备了氧化锌(ZnO)纳米花,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱和光致发光(PL)光谱对合成的样品进行了表征和分析,并对...
5.[期刊]
摘要: 本文利用电容-电压法(C-V法)研究GaN基蓝光发光二极管的双异质结构,将测得的样品C-V曲线由变化中心处分为两部分,分别分析其PN结类型.接着通过液氮对二极...
6.[期刊]
基于多层薄膜的长波红外InAs/GaSbⅡ类超晶格焦平面光响应调控研究
摘要: 本文基于长波InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面阵列(Focal Plane Array,FPA)设计和生长了由ZnS和Ge组成的多层薄膜结构。与没有多层...
7.[期刊]
摘要: 二维材料图形化是实现器件规模化制备的有效途径,也是目前材料、物理和化学等学科的研究热点。基于此,该文设计了二维WSe_(2)化合物晶体图形化构筑的多学科交叉综...
8.[期刊]
摘要: 假冒已成为一个日益严重的全球性问题,因此防伪技术具有十分重要的社会安全意义。使用荧光防伪安全油墨是一种重要的防伪手段。有机染料、共轭聚合物点、半导体量子点和稀...
9.[期刊]
摘要: 对总剂量辐射环境下不同偏置状态的碳化硅功率场效应管(SiC VDMOS)的动态特性进行了相关研究。在比较3种偏置状态下^(60)Coγ射线辐照对于SiC VD...
10.[期刊]
垂直Cu_(2)ZnSnS_(4)纳米线太阳能电池吸收层的研究与制备
摘要: 采用两步电化学沉积法制备了CZTS薄膜和CZTS纳米线阵列,对450~650℃硫化温度下的CZTS薄膜的形貌和物相结构进行了分析,结果表明:在550℃硫化条件...
11.[期刊]
电场调控范德华异质薄膜能隙的第一性原理研究:单层SiC沉积在表面氢化的BN薄膜上
摘要: 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的典型代表,是目前应用最理想的宽禁带半导体材料之一,在半导体照明、电子设备等领域具有广阔的应用前景。本工作通过基于密度泛函...
12.[期刊]
摘要: 随着数字通信在大数据以及物联网等领域的应用,推动了下一代存储设备的发展。阻变式存储器因其功耗低、尺寸可调、操作速度快等优点被认为是最有前景的信息存储器件之一。...
13.[期刊]
摘要: 利用半导体光催化技术实现太阳能分解水制氢,是满足人类可持续发展对能源需求的策略之一。然而,半导体光催化剂中光吸收性能差及光生电荷复合严重是制约光催化技术在太阳...
14.[期刊]
Rashba效应和Zeeman效应对各向异性量子点中束缚磁极化子性质的影响
摘要: 采用Pekar变分法和幺正变换相结合的方法研究了各向异性量子点中束缚磁极化子的Rashba效应和Zeeman效应.通过理论推导,得到束缚磁极化子基态能量的表达...
15.[期刊]
摘要: 为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种阱式阶梯电子阻挡层(EBL)结构。利用Crosslight软件对矩形、阶梯形和阱式阶梯...
16.[期刊]
Sb_(2)Se_(3)-Sb_(2)S_(3)两端叠层薄膜太阳能电池
摘要: 设计并制备一种全锑基两端叠层薄膜太阳能电池,其结构为ITO/CdS/Sb_(2)S_(3)/Au/ZnO/Sb_(2)Se_(3)/Au.通过快速热蒸发法制备...
17.[期刊]
摘要: 采用化学气相沉积法制备拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)纳米线.系统分析生长温度和气体流量对Bi_(2)Se_(3)纳米线的形貌、晶体质量的影响,并研究Bi_...
18.[期刊]
AZrX_(3)(A=Ba,Ca;X=S,Se,Te)钙钛矿结构及光电特性的第一性原理研究
摘要: 基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,考虑自旋轨道耦合(SOC)效应,采用Heyd-Scuseria-Ernzerhof(HSE06)杂化泛函对带隙进行修正,...
19.[期刊]
摘要: 作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga_(2)O_(3))被认为是下一代高功率电力电子器件领域的战略性先进电子材料。相较于热稳定的β-Ga_(2)O_...
20.[期刊]
摘要: 近十余年来,钙钛矿太阳能电池光电转换效率从3.8%提升至目前的25.5%,有望成为下一代商业用薄膜太阳能电池.然而,目前广泛使用的TiO_(2)电子传输层电子...
1.[会议]
摘要: LED作为环保节能光源,在用途方面相当地广泛.本文主要针对LED的分类、特点、性能参数等方面进行了详细阐述,并对LED灯珠的选择及应用给出了一定的指导.
2.[会议]
摘要: 传统的宏观传热理论难以准确表征几何结构尺度小于或接近声子平均自由程的高功率电子器件的产热与传热过程,此时器件的能量激发的时间尺度与声子的特征时间尺度相当,甚至...
3.[会议]
摘要: 为了了解双向温度梯度耦合作用下液池内复杂流动和传热特性,利用有限容积法对底部施加不同垂直热流密度(3.0W/cm2~4.0W/cm2)的Cz结构内硅熔体流动进...
4.[会议]
摘要: 针对IGBT的冷却问题,本文通过三维数值模拟方法对散热器内部一种微槽表面通道的换热特性进行了研究.由于IGBT所需散热面积较大,常规微米级尺寸的微槽通道在满足...
5.[会议]
摘要: 在应用物理类专业和电子信息类专业所用的半导体物理、半导体器件物理等教科书中,W.Shockley于1949年提出的p-n结理论一直被作为最重要的基本理论之一广...
6.[会议]
摘要: 半导体物理是应用物理学和材料学专业的学生需要掌握的重要理论基础,其涉及的内容理论性强,概念抽象,掌握起来较为困难.将仿真软件与理论基础课结合起来,利用Mate...
7.[会议]
摘要: 半导体物理实验是半导体物理实践教学中的重要一环.为进一步完善我校的半导体物理实验课程体系建设,加强学生理论联系实践的能力,增强学生在科研等方面的适应性和竞争力...
8.[会议]
摘要: 自清洁追日太阳能发电系统包括以单轴光源追踪器为核心的自动追日太阳能发电系统和由时钟电路、雨滴传感器构建的自清洁系统两部分,实现了太阳能板的自动追日发电和自动清...
9.[会议]
摘要: 本文通过实验室模拟氧化锌压敏电阻在不同电流环境下的老化过程,依据氧化锌压敏电阻的非线性特性与双肖特基势垒理论分析实验现象,得到老化规律如下:在直流老化中正反向...
10.[会议]
摘要: 本文通过对爱因斯坦传输方程的推导和整理得到了一个可以用于计算半导体板内场分布的漂移扩散模型公式.该公式基于半导体板内部的漂移效应和扩散效应.在此影响下其内部的...
11.[会议]
摘要: 利用艾里(Airy)函数和转移矩阵方法精确求解了存在电场的一维多势垒结构的电子一维定态薛定谔方程,求出了在一维多势垒结构中电子共振透射系数的表达式,并进一步研...
12.[会议]
摘要: 半导体的平带电位是表征半导体/溶液界面性能的重要参数,准确测量平带电位对于光电化学,光催化和染料敏化电池的研究具有重要意义。Mott-Schottky方法(电...
13.[会议]
摘要: 量子计算科学是近年来物理学领域最活跃的研究前沿之一,其开拓了与经典方式具有本质区别的全新的信息处理模式.量子计算研究的根本目标是建造基于量子力学基本原理的量子...
14.[会议]
摘要: 高热流密度半导体器件的热管理问题是难点,目前大量研究是通过改善封装材料、结构及优化外部散热能力以解决问题.热传输是多维过程,本文提出从空间和时间的维度来解决多...
15.[会议]
摘要: 该文主要研究了自热效应对栅长为500nm的金属—半导体GaAs高电子迁移率场效应晶体管PHEMT的电学特性以及热学特性的影响.从泊松方程、连续性方程、输运方程...
16.[会议]
摘要: 在半导体器件中,声子是主要的热载子,器件的特征尺寸与热载子的平均自由程可相互比拟时,运用传统的傅里叶导热定律计算其温度分布将造成较大的误差.考虑到器件的热电特...
17.[会议]
摘要: 本文分析研究了多晶硅锭边部低少子寿命区域(俗称红边)对电池效率的影响.实验硅片平行于晶体方向切割,通过μ-PCD微波光电导和PL测试少子寿命和晶体缺陷,进一步...
18.[会议]
摘要: 本文主要从电场调制下激子斯塔克(Stark)效应和辐射复合寿命,电场调制下激子波函数的时间演化,电场调制下激子局域化动力学等方面介绍了电场调制下激子动力学研究...
19.[会议]
摘要: 本文介绍了激子的长程扩散、激子发光的双环结构和环上斑点图案形成的物理机制,叙述了静电陷阱和应力陷阱中的激子非线性扩散.尽管人们在实验上还没有观测到激子的玻色一...
20.[会议]
摘要: 本文通过实验研究了光电效应实验中,光强一定时光波波长与饱和光电流的关系.研究结果表明,光强一定时,饱和光电流既与光子数有关又与光电效率有关,其中光电效率占据主...
1.[学位]
摘要: 二维材料是近来发现的一类新型材料,其在光电转换、热电转换、传感、催化等领域都具有广泛的潜在应用,深入研究其电子结构及光学性质,进而找到有效的方法调控其性能,在...
2.[学位]
摘要: 作为第三代半导体器件的首要代表,GaN(氮化镓)功率器件由于其优越的材料特性,非常适合应用在高温、高压、大功率的场合.由于极化效应产生的二维电子气(2DEG)...
3.[学位]
摘要: 理论与实验研究表明,全氢化的锗烯(锗烷)是带隙为1.59 eV的非磁性半导体,而一侧半氢化的锗烯对应带隙为0.50 eV的铁磁性半导体,其优异的电子特性有望在...
4.[学位]
摘要: 垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)是近几年发展起来的一种新型的光电子器件。它成功地将固体薄片激光器外腔的可扩展性和半导体激光器波长的可调整性等优点结合...
5.[学位]
摘要: SiC表面重构的发生会引起表面态密度增加,这使得SiC材料表面的电学、光学等特性不同于体内的原子,极大地影响了SiC功率器件的性能。因此本课题基于Valenc...
6.[学位]
摘要: 硅单晶作为集成电路和太阳能光伏发电领域的基础材料,其品质对电子器件的性能产生直接影响。磁控CZ法是目前生长硅单晶的主流方法,晶体生长过程中坩埚内熔体的流动、传...
7.[学位]
摘要: 未来信息技术发展的必由之路是实现微电子技术和光子学技术的融合,而目前世界上90%以上的电子器件和电路都是以硅为基础的,技术的发展迫切的需要实现 Si基光电集成...
8.[学位]
摘要: 锗(Ge)是间接带隙半导体,在一定的改性作用条件下,如应力作用、合金化作用等,其可转变为直接带隙半导体。直接带隙改性 Ge半导体载流子辐射复合效率高,应用于光...
9.[学位]
摘要: III族氮化物半导体(InN、GaN、AlN及其多元化合物)覆盖从0.7eV到6.2eV的禁带宽度范围,特别适合制作从红外光、可见光到紫外光的发光器件。截止目...
10.[学位]
摘要: 半导体GeSn材料由于其独特的材料特性引起广泛的研究,例如可通过调节Sn组分改变能带结构而显示出直接带隙的能力,高的电子和空穴迁移率,并且与传统Si工艺相兼容...
11.[学位]
摘要: 中子探测技术在国土安全、空间科学、医疗卫生、工业等领域有着广泛的应用前景。目前,应用最广泛的中子探测器为3He正比计数管,作为其探测介质的3He主要来源于核武...
12.[学位]
摘要: 随着半导体工艺水平的不断进步,集成规模与电路速度也翻倍增长,因此带来了一系列电互连问题,光互连技术解决方案应运而生。通过改性技术(如应力、合金化等作用),Ge...
13.[学位]
第一性原理研究Mn2CoAl(001)表面的电子结构、磁性及半金属特性
摘要: 随着电子器件的小型化,自旋电子学器件的研制引起了广泛关注。自旋电子学器件需要从磁电极到半导体的有效自旋极化电子的注入,因此在费米能级处具有100%自旋极化率的...
14.[学位]
摘要: 拓扑绝缘体是量子物质的一类新状态,但是不能简单地与传统的绝缘体还有半导体联系在一起。它是一类新型的电子材料,拥有一个像普通绝缘体一样的体带隙,但是在其边缘或者...
15.[学位]
ZnXY2(X=Si、Ge和Sn;Y=P、As和Sb)物理性能的第一原理研究
摘要: ZnXY2(X=Si、Ge和Sn;Y=P、As和Sb)化合物属于Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2黄铜矿型结构半导体化合物,因为其特殊的电子结构和光学特性,其在非线性光学、半导体激...