杂质和缺陷属于《中国图书分类法》中的四级类目,该分类相关的期刊文献有287篇,会议文献有25篇,学位文献有72篇等,杂质和缺陷的主要作者有王柱、张春红、杨德仁,杂质和缺陷的主要机构有中国科学院半导体研究所、厦门大学物理学系、武汉大学物理科学与技术学院等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 为了研究温度对Ca_(3)Ti_(2)O_(7)材料铁电性能的影响,采用固相反应法制备了Ca_(3)Ti_(2)O_(7)单相陶瓷材料.对样品进行XRD测试以...
2.[期刊]
摘要: 锂离子电池因其优异的电化学性能和力学性能受到人们的广泛关注。虽然这些电池已经被广泛使用和商业化,但研究人员仍在对其电极材料和技术进行广泛的研究,以提高其安全性...
3.[期刊]
摘要: 基于第一性原理的平面波超软赝势法对(6, 0)单壁氮化硼纳米管、Cr掺杂、Ag掺杂、以及Cr-O共掺纳米管进行电子结构和光学性质的计算.结果表明:Cr掺杂和C...
4.[期刊]
本征缺陷对β-Ga_(2)O_(3)光催化性质影响的第一性原理研究
摘要: 运用第一性原理杂化泛函研究了本征缺陷(O空位和Ga空位)对于β-Ga_(2)O_(3)的几何结构和电子性质的影响.计算结构表明:杂化泛函B3LPY能很好的描述...
5.[期刊]
Mn,Fe,Co掺杂GaAs电子结构与光学性质的第一性原理研究
摘要: 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对本征GaAs以及3d过渡金属Mn、Fe、Co单掺杂GaAs晶体的电子结构及其光学性质进行理论计算以及对比研究.计算结...
6.[期刊]
Cr掺杂以及Mo和Cr双掺Mn_(4)Si_(7)的第一性原理计算
摘要: 采用基于密度泛函理论中第一性原理的赝势平面波法,分别对本征Mn_(4)Si_(7)、Cr掺杂Mn_(4)Si_(7)以及Cr和Mo双掺Mn_(4)Si_(7)...
7.[期刊]
摘要: 由于辐照缺陷直接影响载流子收集效率和器件性能,辐照缺陷结构与六方氮化硼(hBN)中载流子产生和输运的关系一直是探测器研究的重要课题。利用静电计、X射线衍射(X...
8.[期刊]
摘要: 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,深入研究了Ti掺杂对扶手椅石墨烯纳米带(AGNRs)电子结构和光学性质的影响.研究表明:Ti原子的引入不会改变A...
9.[期刊]
Hf_(2)B_(5)超硬材料的结构、稳定性、力学及电子性质研究
摘要: 目的设计具有超硬结构的硼铪化合物并研究其结构的稳定性、力学性质及电子性质。方法结合基于粒子群优化算法的晶体预测技术和基于密度泛函的第一性原理计算方法对Hf_(...
10.[期刊]
摘要: 对总剂量辐射环境下不同偏置状态的碳化硅功率场效应管(SiC VDMOS)的动态特性进行了相关研究。在比较3种偏置状态下^(60)Coγ射线辐照对于SiC VD...
11.[期刊]
基于第一性原理的双钙钛矿Ba_(2)BiTaO_(6)光电性质和缺陷特性研究
摘要: 目的通过第一性原理计算研究双钙钛矿Ba_(2)BiTaO_(6)的光电性质和缺陷特性。方法通过在钙钛矿的B位上引入具有“s孤对电子”的Bi原子生成双钙钛矿Ba...
12.[期刊]
摘要: 该工程混凝土用骨料为现场洞身开挖的流纹岩加工的砂石骨料,流纹岩抗压强度达到167 MPa,饱和抗压强度达到158 MPa,软化系数为0.95.由于现场开采的流...
13.[期刊]
摘要: 采用射频等离子辅助蒸发法,在玻璃衬底上制备InN薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行表征,使用分光光度计、拉曼光谱...
14.[期刊]
摘要: 采用热丝CVD法在N型体硅上以全程真空环境镀膜与IN镀膜后破真空再镀IP的不同形式,分别生长IN-IP非晶硅膜层,用WCT-120对薄膜钝化性能进行分析,并用...
15.[期刊]
摘要: 原子级厚度的单层或者少层二维过渡金属硫族化合物因其独特的物理特性而被寄希望成为下一代光电子器件的重要组成部分.然而,二维材料的缺陷在很大程度上影响着材料的性质...
16.[期刊]
扩散诱导的锌间隙相关施主缺陷对ZnO纳米棒结构及光电特性的影响
摘要: 采用射频磁控溅射技术和水浴法在SiO2单晶衬底上生长了 Zn纳米颗粒/ZnO纳米棒复合材料(Zn/ZnO).后期热处理促使Zn/ZnO界面之间发生元素相互扩散...
17.[期刊]
摘要: 金属卤化物钙钛矿材料的太阳能电池由于其成本低廉,光电性能优异,在过去的11年中取得了巨大的进展.然而,在钙钛矿太阳能电池中存在着大量的有害缺陷,如钙钛矿结构内...
18.[期刊]
摘要: 深能级瞬态谱仪能检测半导体中微量杂质、 缺陷的深能级及界面态,经过全面的数据分析,可以确定杂质和缺陷的类型、 含量、 陷阱密度、 随深度的分布、 陷阱上载流子...
19.[期刊]
摘要: 目的 研究高效蓝光无铅钙钛矿Cs3Cu2I5的光电性质和缺陷特性。方法 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法进行研究。结果与结论 Cs3Cu2I5的低对称...
20.[期刊]
空位浓度对纤锌矿CdS电子结构和光学性质影响的第一性原理研究
摘要: 本文基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,采用第一性原理研究了含Cd空位缺陷CdS和含S空位缺陷纤锌矿CdS的几何结构、能带结构、电子态密度及光学性质。通过计...
1.[会议]
摘要:
2.[会议]
摘要:
3.[会议]
摘要: 本文以1.2u双层铝CMOS大规模集成电路中最常用的一种输入保护形式为例、对LDD(轻掺杂漏),MDD(中等掺杂漏)和DDD(双扩散漏)器件结构及抗静电能力进...
4.[会议]
摘要: 利用光致瞬态电流谱研究了热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响。实验结果表明原生和退火的LT-GaAs中都存在三个主要的深中心LT<,1>、LT<,2...
5.[会议]
摘要: 传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9~10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如...
6.[会议]
摘要: 我们利用紧束缚分子动力学(TBMD)的模拟方法,采用NVT分子动力学计算出金刚石硅的点缺陷迁移能,E<,m>=0.37eV,并且得到空穴的近邻原子在某一温度下...
7.[会议]
摘要:
8.[会议]
摘要: 本工作通过第一性原理(First-Principles)计算研究发现ZnO中等价替代Zn的中性Ca杂质与处于邻近氧原子的反键位(ABO)的H+有强束缚,束缚能...
9.[会议]
摘要: 以富磷2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。测试其霍尔效应和I-V曲线,表明生长所得的ZnGeP2晶体属于P...
10.[会议]
Study on the point defect and linear defects in two-dimensional piezoelectric phononic crystals
摘要: In this paper, the wave propagation and localization in two-dimensional piezoel...
11.[会议]
摘要: 采用正电子湮没(PAT)技术和傅立叶红外变换(FTIR)技术研究了高剂量(5×1017n·cm-3)快中子辐照直拉硅中的辐照损伤及其退火效应.实验表明辐照样品...
12.[会议]
摘要: 利用慢正电子研究了不同氧压下射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷随反应气体中O2比例(PO2)的变化关系.结果表明:PO2≤70%时,这些...
13.[会议]
摘要: 采用固相反应法制备了掺杂不同量Ho2O3的Ba1-xHoxTiO3陶瓷(x分别为:0,O.2%,0.3%,0.4%,0.5%,0.6%,0.7%);对其室温电...
14.[会议]
摘要: 量子计算科学是近年来物理学领域最活跃的研究前沿之一,其开拓了与经典方式具有本质区别的全新的信息处理模式.量子计算研究的根本目标是建造基于量子力学基本原理的量子...
15.[会议]
摘要: 利用电学测试、正电子寿命谱和X-射线衍射研究了原生和退火处理后半绝缘InP单晶的空位、填隙缺陷.原生掺铁半绝缘InP单晶含有空位缺陷,这些空位产生深能级补偿缺...
16.[会议]
摘要: 本文研究了液封直拉法生长的GaSb和InAs单晶的一些晶格缺陷.在GaSb和InAs(100)晶片的局部区域容易形成高密度位错聚集区,引起严重的晶格畸变.实验...
17.[会议]
摘要: 本文采用金相显微镜和PL Mapping扫描光谱仪,检测6英寸SI-GaAs晶片.首先用光荧光谱表征样品表面和内部的发光特性,利用光谱图中颜色的不同来分析样品...
18.[会议]
摘要: 人们对于砷化镓晶体中存在的各种微缺陷研究已经有很长的时间了,以往通常都是主要利用电子显微镜,透射电镜,扫描电镜、X射线异常投射形貌技术以及X射线能量散射谱仪等...
19.[会议]
摘要: 利用物理气相传输法(PVT)生长了直径40-50 mm、厚约8-10 mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5毫米.用拉曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质...
20.[会议]
摘要: 对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.Si3...
1.[学位]
摘要: 以重掺硼直拉单晶硅片为衬底的p/p+外延片用于制造集成电路时,可避免CMOS器件的闩锁效应。因此重掺硼直拉硅单晶是一种重要的硅材料。重掺硼除了提高单晶硅的电导...
2.[学位]
摘要: 硅纳米晶体具有独特的电子和光学性质,已逐渐成为研究热点之一,在微电子、光电子、光伏、热电、生物影像等领域具有广阔的应用前景。硅纳米晶体的电子光学性质受到量子限...
3.[学位]
摘要: 集成电路特征线宽的不断减小对直拉硅片的杂质与缺陷控制提出了愈来愈高的要求。自从快速热处理被用于直拉硅片的内吸杂工艺以来,人们在不断探索它在直拉硅片的杂质与缺陷...
4.[学位]
摘要: 重掺杂直拉硅单晶既可以消除CMOS器件的闩锁效应,也能够有效地降低器件的功耗,而广泛用作硅外延片的衬底材料。氧沉淀和空洞型缺陷是硅单晶的重要微缺陷,对器件制造...
5.[学位]
摘要: ZnO禁带宽度为3.37eV,激子束缚能60meV,光增益系数高达300cm-1,理论上具有很低的受激辐射阈值,在发光二极管(LED)、激光器方面有潜在巨大的...
6.[学位]
摘要: 近十年来,掺氮直拉硅片由于具有更高的机械强度、更好的内吸杂性能以及更易消除空洞型缺陷等优点而日益成为集成电路广泛使用的高端材料。碳杂质的引入是直拉硅单晶生长过...
7.[学位]
摘要: 由于光子晶体特殊光学性质使得对光子晶体的研究,无论是在理论上,还是实验和应用上都获吸引了人们广泛的关注。光子晶体结构可以很好的控制光路的传播路径,而且还能现今...
8.[学位]
摘要: PVT法生长的SiC单晶体依然存在大量的缺陷使其优良特性难以发挥,故对这些结构缺陷进行研究并且能在某些具体过程中进行有效的控制,对于提高SiC晶体质量是非常重...
9.[学位]
摘要: SiC材料是一种非常有前途的半导体材料,经过科研人员的不断努力单晶品质取得了长足的进步,但是目前仍存在各种问题,其中微管缺陷是一种不可忽视的缺陷类型,本文介绍...
10.[学位]
摘要: 硅单晶作为集成电路和太阳能光伏发电领域的基础材料,其品质对电子器件的性能产生直接影响。磁控CZ法是目前生长硅单晶的主流方法,晶体生长过程中坩埚内熔体的流动、传...
11.[学位]
摘要: 光子晶体作为既能够控制其内部辐射模式,又对外部激励场具有特殊影响的人工晶体材料,它的出现已成为电磁场理论、纳米技术、微电子技术和光信息技术等领域共同关注的研究...
12.[学位]
掺杂缺陷的一维异质双周期光子晶体在外部应力、磁场作用下缺陷模的特性研究
摘要:
本论文采用传输矩阵的方法研究了以下三个方面的内容:
1、研究了掺杂缺陷的一维异质双周期光子晶体缺陷模的特性,包括光子晶体缺陷模随缺陷层位置、缺陷层光...
13.[学位]
摘要: 材料的性能与其微观结构和存在的缺陷密切相关,所以,对于材料微观缺陷的研究受到研究者的广泛关注。微裂纹是材料中常见的一种结构缺陷,对材料的性能有着极大的影响,微...
14.[学位]
摘要: 随着全球环境的恶化以及能源消耗的加剧,开发和利用可再生能源的重要性日益突出。因而,开发利用可再生的清洁能源已经成为各国政府大力发展的领域之一。可再生能源中最具...
15.[学位]
摘要: 蓝宝石单晶是氧化铝单晶体,具有优良的光学性能、力学性能、热学性能、电学性能和化学稳定性,是一种综合性能优良的晶体,广泛应用于红外军事装置、卫星空间技术、半导体...
16.[学位]
摘要: 本文研究了中子辐照后的直拉单晶硅片的内吸杂工艺,以及通过短时间的三步退火就能得到很理想的清洁区,由于中子辐照产生大量的间隙型缺陷作为氧沉淀的核心,促进了中子辐...