铸锭多晶硅锭边部低少子寿命区的电性能研究

摘要

本文分析研究了多晶硅锭边部低少子寿命区域(俗称红边)对电池效率的影响.实验硅片平行于晶体方向切割,通过μ-PCD微波光电导和PL测试少子寿命和晶体缺陷,进一步排序做成电池并进行EL测试.试验结果表明,边部硅片少子寿命沿远离坩埚侧面方向呈现先下降后上升的趋势,在距离非红区约14mm处开始上升;相应的电池片效率呈现相同的变化趋势.少子寿命低于1μs区域的电池效率非常低,并在EL测试时显示黑边和漏电现象.少子寿命大于1μs区域的电池效率恢复到正常.为硅锭去除边皮提供参考意义.