强激光辐照对多晶硅少子寿命影响的研究

摘要

1）用脉宽约为100ns的可调谐TEACO2脉冲激光器产生的功率为兆瓦级的强红外激光脉冲直接照射硅片，改变激光的频率、能量密度、照射脉冲数等，用扫描电镜观察硅片的表面形貌和断面形貌硅片，用傅里叶红外光谱仪测试硅片，测量硅片氧碳含量，用高频光电导法测硅片少子寿命。