1 绪论
1.1 研究背景
1.2 研究现状
1.2.1 增强型p-GaN HEMT的仿真研究
1.2.2 GaN基HEMT器件的应力特性研究
1.3 本论文的研究内容及安排
2 GaN基HEMT器件的物理基础
2.1.1 GaN材料的晶格结构
2.1.2 GaN材料的极化效应
2.2 AlGaN/GaN异质结及其能带结构
2.3 二维电子气浓度推导
2.4 p-GaN栅极结构的增强型HEMT的阈值电压推导
2.5 p-GaN栅极结构的增强型HEMT的应力模型
2.6 本章小结
3 p-GaN HEMT器件的仿真模型
3.1 Silvaco-Atlas 仿真软件介绍
3.2 仿真模型建立
3.2.1 器件结构的定义
3.2.2 掺杂和陷阱的设置
3.2.3 材料参数的设定
3.2.4 物理模型的定义
3.3 仿真模型求解
3.3.1 p-GaN层掺杂浓度对器件性能的影响
3.3.2 栅极功函数对器件性能的影响
3.3.3 GaN缓冲层陷阱浓度对器件性能的影响
3.4 本章小结
4 p-GaN HEMT 的应力仿真及分析
4.1 应力对器件电学特性的影响
4.1.1 势垒层双轴应变对器件性能的影响
4.1.2 势垒层应力弛豫对器件性能的影响
4.2 势垒层局部应变的耐压性能分析
4.3 本章小结
5 应力模型在非均匀应变场合以及欧姆接触器件中的应用
5.1 势垒层非均匀应变对器件电学特性的影响
5.1.1 Region-GS应变对器件电学特性的影响
5.1.2 Region-GD应变对器件电学特性的影响
5.1.3 Region-G应变对器件电学特性的影响
5.1.4 AlGaN势垒层三个区域应变对比分析
5.2 应力对栅极欧姆接触器件性能的影响
5.3 本章小结
6 总结与展望
参考文献
附录
A. 作者在攻读学位期间发表的论文目录
B. 作者在攻读学位期间取得的科研成果目录
C. 学位论文数据集
致谢
重庆大学;