半导体性质属于《中国图书分类法》中的四级类目,该分类相关的期刊文献有2598篇,会议文献有204篇,学位文献有674篇等,半导体性质的主要作者有申德振、肖景林、吕有明,半导体性质的主要机构有中国科学院、中国科学院半导体研究所、内蒙古民族大学等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 在低温制备的SnO电子传输层(ETLs)和钙钛矿层之间插入KI插层,制备平面钙钛矿太阳电池;研究KI插层对SnOETLs/钙钛矿吸收层界面的修饰作用及其对钙钛...
2.[期刊]
摘要: 近十年,有机无机杂化钙钛矿凭借其新颖优异的光电特性而引起广泛关注。最近,手性钙钛矿由于结合了钙钛矿材料和手性材料各自独特性能,在三维显示、光学信息处理、量子光...
3.[期刊]
摘要: 为了深入理解一维ZnO纳米材料的优异光学特性,利用油酸锌的高温热分解反应制备了直径约为6.6 nm的ZnO纳米棒,通过X射线衍射仪、电子显微镜以及拉曼光谱仪等...
4.[期刊]
摘要: 采用溶剂热法,以路易斯酸/碱为辅助材料合成了碲@二氧化碲纳米线热电材料,通过对其热电性能测试发现塞贝克系数S(80mV/K)远高于碲块体材料(45mV/K);...
5.[期刊]
摘要: 二维材料由于其原子级厚度和诸多独特物理性质受到了学术界与工业界的广泛关注,其中由石墨烯和过渡金属硫属化合物(TMDCs)堆叠而成的范德华尔斯垂直异质结更是在光...
6.[期刊]
氧化石墨烯诱导高织构Mo掺杂Bi_(2)Te_(3)薄膜的热电性能
摘要: 为提高Bi_(2)Te_(3)薄膜的热电性能,采用磁控溅射技术在旋涂有氧化石墨烯(GO)缓冲层的玻璃衬底上共溅制备的Mo掺杂的n型Bi_(2)Te_(3)薄膜...
7.[期刊]
插入NiCr合金层对SnO_(2)/Ag/SnO_(2)多层结构透明导电薄膜热稳定性的影响
摘要: 室温下通过磁控溅射技术制备了SnO_(2)/Ag/SnO_(2)(SAS)、SnO_(2)/Ag/NiCr/SnO_(2)(SANS)和SnO_(2)/NiC...
8.[期刊]
摘要: 利用密度泛函理论(density function theory,DFT)模拟计算了二维Ⅳ-Ⅵ硫族化合物(MXs:SnS、SnSe、SnTe、GeS、GeSe...
9.[期刊]
摘要: 为研究不同层数MoS_(2)的光学性质以及缺陷对单层MoS_(2)光学性质的影响,利用基于密度泛函理论的第一性原理,计算1~3层MoS_(2)的能带结构、拉曼...
10.[期刊]
摘要: 采用低成本的水热法制备了氧化锌(ZnO)纳米花,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱和光致发光(PL)光谱对合成的样品进行了表征和分析,并对...
11.[期刊]
摘要: 本文利用电容-电压法(C-V法)研究GaN基蓝光发光二极管的双异质结构,将测得的样品C-V曲线由变化中心处分为两部分,分别分析其PN结类型.接着通过液氮对二极...
12.[期刊]
摘要: 二维材料图形化是实现器件规模化制备的有效途径,也是目前材料、物理和化学等学科的研究热点。基于此,该文设计了二维WSe_(2)化合物晶体图形化构筑的多学科交叉综...
13.[期刊]
摘要: 假冒已成为一个日益严重的全球性问题,因此防伪技术具有十分重要的社会安全意义。使用荧光防伪安全油墨是一种重要的防伪手段。有机染料、共轭聚合物点、半导体量子点和稀...
14.[期刊]
垂直Cu_(2)ZnSnS_(4)纳米线太阳能电池吸收层的研究与制备
摘要: 采用两步电化学沉积法制备了CZTS薄膜和CZTS纳米线阵列,对450~650℃硫化温度下的CZTS薄膜的形貌和物相结构进行了分析,结果表明:在550℃硫化条件...
15.[期刊]
电场调控范德华异质薄膜能隙的第一性原理研究:单层SiC沉积在表面氢化的BN薄膜上
摘要: 碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的典型代表,是目前应用最理想的宽禁带半导体材料之一,在半导体照明、电子设备等领域具有广阔的应用前景。本工作通过基于密度泛函...
16.[期刊]
摘要: 随着数字通信在大数据以及物联网等领域的应用,推动了下一代存储设备的发展。阻变式存储器因其功耗低、尺寸可调、操作速度快等优点被认为是最有前景的信息存储器件之一。...
17.[期刊]
摘要: 利用半导体光催化技术实现太阳能分解水制氢,是满足人类可持续发展对能源需求的策略之一。然而,半导体光催化剂中光吸收性能差及光生电荷复合严重是制约光催化技术在太阳...
18.[期刊]
摘要: 为有效降低深紫外激光二极管(DUV-LD)在有源区的电子泄露,提出了一种阱式阶梯电子阻挡层(EBL)结构。利用Crosslight软件对矩形、阶梯形和阱式阶梯...
19.[期刊]
摘要: 采用化学气相沉积法制备拓扑绝缘体Bi_(2)Se_(3)纳米线.系统分析生长温度和气体流量对Bi_(2)Se_(3)纳米线的形貌、晶体质量的影响,并研究Bi_...
20.[期刊]
摘要: 近十余年来,钙钛矿太阳能电池光电转换效率从3.8%提升至目前的25.5%,有望成为下一代商业用薄膜太阳能电池.然而,目前广泛使用的TiO_(2)电子传输层电子...
1.[会议]
摘要: LED作为环保节能光源,在用途方面相当地广泛.本文主要针对LED的分类、特点、性能参数等方面进行了详细阐述,并对LED灯珠的选择及应用给出了一定的指导.
2.[会议]
摘要: 传统的宏观传热理论难以准确表征几何结构尺度小于或接近声子平均自由程的高功率电子器件的产热与传热过程,此时器件的能量激发的时间尺度与声子的特征时间尺度相当,甚至...
3.[会议]
摘要: 针对IGBT的冷却问题,本文通过三维数值模拟方法对散热器内部一种微槽表面通道的换热特性进行了研究.由于IGBT所需散热面积较大,常规微米级尺寸的微槽通道在满足...
4.[会议]
摘要: 文章为研究ZnS半导体纳米材料的磁性能和发光性能,采用沉淀法制备ZnS纳米颗粒,并将其中一份掺杂乙酸钴和硫酸铜,得到XRD图谱。经图谱所示, 在不搅拌的情况下...
5.[会议]
摘要: 文中主要进行了硅酸镓镧(LGS)声表面波器件在高温情况下的性能研究,并且与ST-X石英基片进行了对比。首先简要的介绍了LGS晶体的物理性能及切向选择方法,为得...
6.[会议]
摘要: 本文从普通物理学的层面对带电粒子在轴对称缓慢变化磁场中的运动进行了较详细的讨论,得到粒子运动的轨迹、三个寝渐不变量、磁镜反射条件及粒子从磁瓶中逃逸的概率.
7.[会议]
摘要: 自清洁追日太阳能发电系统包括以单轴光源追踪器为核心的自动追日太阳能发电系统和由时钟电路、雨滴传感器构建的自清洁系统两部分,实现了太阳能板的自动追日发电和自动清...
8.[会议]
摘要: 本文通过实验室模拟氧化锌压敏电阻在不同电流环境下的老化过程,依据氧化锌压敏电阻的非线性特性与双肖特基势垒理论分析实验现象,得到老化规律如下:在直流老化中正反向...
9.[会议]
摘要: 纳米硅量子点由于具有与体硅材料不同的独特物理性质,使其在未来的光电器件,包括在硅基发光与硅基光伏器件等方面都有很好的应用前景,也因此引起人们极大的研究兴趣
10.[会议]
摘要: 本文主要介绍我们研究组近年来在半导体微纳结构介质中非线性光学特性的量子调控研究方面的工作。我们研究小组最近对半导体纳米微结构介质中克尔非线性光学特性的量子调控...
11.[会议]
摘要: 如何获得稳定且尺寸可控的量子点,优化PbSe半导体量子点化学性质成为亟待解决的问题。本文通过有机金属高温裂解法在无水无氧手套箱中制备了稳定性好,尺寸分布均匀的...
12.[会议]
摘要: 利用T-matrix方法对太赫兹波段亚波长半导体球形阵列进行了数值模拟并在数值模拟结果的基础上讨论了其光学特性。在太赫兹波段可以通过掺杂等手段调节半导体的表面...
13.[会议]
摘要: 半导体的平带电位是表征半导体/溶液界面性能的重要参数,准确测量平带电位对于光电化学,光催化和染料敏化电池的研究具有重要意义。Mott-Schottky方法(电...
14.[会议]
摘要: 本文基于金刚石对顶砧(DAC)上原位的交流阻抗谱测量技术,测量了CdS半导体粉末在高压下的交流阻抗谱,获得了CdS多晶样品电阻随压力的变化关系,其中3.6GP...
15.[会议]
摘要: 本文采用数值模拟方法对两种材料LED的电子束辐照LED的能量沉积进行模拟。将化合物等价成为具有一定原子序数和原子量的原子,针对LED的多层结构建立能量沉积体系...
16.[会议]
摘要: 高热流密度半导体器件的热管理问题是难点,目前大量研究是通过改善封装材料、结构及优化外部散热能力以解决问题.热传输是多维过程,本文提出从空间和时间的维度来解决多...
17.[会议]
摘要: 该文主要研究了自热效应对栅长为500nm的金属—半导体GaAs高电子迁移率场效应晶体管PHEMT的电学特性以及热学特性的影响.从泊松方程、连续性方程、输运方程...
18.[会议]
摘要: 在半导体器件中,声子是主要的热载子,器件的特征尺寸与热载子的平均自由程可相互比拟时,运用传统的傅里叶导热定律计算其温度分布将造成较大的误差.考虑到器件的热电特...
19.[会议]
摘要: 本文分析研究了多晶硅锭边部低少子寿命区域(俗称红边)对电池效率的影响.实验硅片平行于晶体方向切割,通过μ-PCD微波光电导和PL测试少子寿命和晶体缺陷,进一步...
20.[会议]
摘要: 本文通过实验研究了光电效应实验中,光强一定时光波波长与饱和光电流的关系.研究结果表明,光强一定时,饱和光电流既与光子数有关又与光电效率有关,其中光电效率占据主...
1.[学位]
摘要: 作为第三代半导体器件的首要代表,GaN(氮化镓)功率器件由于其优越的材料特性,非常适合应用在高温、高压、大功率的场合.由于极化效应产生的二维电子气(2DEG)...
2.[学位]
摘要: 随着全球工业化进程的加快,能源短缺和环境污染已经成为世界范围内不容忽视的两大问题,严重制约着社会长期稳定发展。研究和开发新能源已经成为全球能源发展的趋势。其中...
3.[学位]
摘要: 当前窄禁带半导体材料中,晶体锗由于具备良好的微电子兼容性而被寄予厚望。锗材料比硅材料的波尔激子半径更大,具有更加显著的表面效应和量子限域效应等,因而锗材料在半...
4.[学位]
摘要: 在过去的几十年中,半导体量子点由于优异的光电性能受到了很多研究者的关注。近些年来,锗(Ge)量子点因其独特的光电性能也越来越受到重视。为了实现Ge量子点在电子...
5.[学位]
摘要: 短波长半导体的发光对实现新一代半导体照明、紫外通信和光存储等有着重要意义,氧化锌作为一种禁带宽度为3.37eV的直接带隙半导体,拥有远超室温的激子束缚能60m...
6.[学位]
ZnO发光效率提升机制研究及ZnO/ZnMgO多量子阱发光器件研制
摘要: 氧化锌(ZnO)优异的光电性能使其在短波长光电器件领域有着广阔的应用前景。然而目前所制备的ZnO基发光器件仍然面临着效率低、不稳定等问题,难以满足应用需求。提...
7.[学位]
摘要: 作为一种II-VI族氧化物半导体材料,ZnO室温条件下禁带宽度3.37 eV,激子束缚能为60 meV,具有优异的发光性能,在LED和LD等光电器件领域具有极...
8.[学位]
低温溶剂热法制备含15族元素(As,Sb)的新型多元硫属化合物及其结构与性能研究
摘要: 多元硫属化合物是一类具有丰富组成和结构的半导体材料,这也使得它们具有了多样的物理化学性能,在非线性光学、光催化、离子交换、光电化学电池等现代科学领域具有广泛的...
9.[学位]
摘要: 多元硫属化合物是一类结构非常丰富的半导体材料,具有优良的物理化学性能,在非线性光学、光催化、太阳能电池等领域具有广泛的应用。因此,它们的合成研究已经成为目前无...
10.[学位]
摘要: CdS是Ⅱ-Ⅵ族半导体,掺有磁性杂质(过渡金属或稀土离子)的Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族半导体是重要的稀磁半导体,稀磁半导体主要是通过利用电子的电荷特性和自旋特性,不仅...
11.[学位]
摘要: SiC表面重构的发生会引起表面态密度增加,这使得SiC材料表面的电学、光学等特性不同于体内的原子,极大地影响了SiC功率器件的性能。因此本课题基于Valenc...
12.[学位]
摘要: 未来信息技术发展的必由之路是实现微电子技术和光子学技术的融合,而目前世界上90%以上的电子器件和电路都是以硅为基础的,技术的发展迫切的需要实现 Si基光电集成...
13.[学位]
摘要: 锗(Ge)是间接带隙半导体,在一定的改性作用条件下,如应力作用、合金化作用等,其可转变为直接带隙半导体。直接带隙改性 Ge半导体载流子辐射复合效率高,应用于光...
14.[学位]
摘要: III族氮化物半导体(InN、GaN、AlN及其多元化合物)覆盖从0.7eV到6.2eV的禁带宽度范围,特别适合制作从红外光、可见光到紫外光的发光器件。截止目...
15.[学位]
摘要: 半导体GeSn材料由于其独特的材料特性引起广泛的研究,例如可通过调节Sn组分改变能带结构而显示出直接带隙的能力,高的电子和空穴迁移率,并且与传统Si工艺相兼容...
16.[学位]
摘要: 中子探测技术在国土安全、空间科学、医疗卫生、工业等领域有着广泛的应用前景。目前,应用最广泛的中子探测器为3He正比计数管,作为其探测介质的3He主要来源于核武...
17.[学位]
摘要: 随着半导体工艺水平的不断进步,集成规模与电路速度也翻倍增长,因此带来了一系列电互连问题,光互连技术解决方案应运而生。通过改性技术(如应力、合金化等作用),Ge...
18.[学位]
摘要: 半导体自旋电子学期望运用电子自旋这一内禀属性取代电荷,以实现性能更强大的新型半导体器件。相较于传统半导体器件,基于自旋自由度的新型电子器件兼具了非易失性、处理...
19.[学位]
摘要: 霍尔推力器是一种先进的电推力器,具有高效率、高精度及高比冲等优点,广泛应用于航天器的推进任务。霍尔推力器放电通道壁面材料的优化布置会对通道内等离子体物理过程产...