基于n-GaN栅的p沟道GaN基异质结场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种基于n‑GaN栅的p沟道GaN基异质结场效应晶体管，自下而上包括：衬底、缓冲层、势垒层以及p‑GaN层；其中，p‑GaN层的上表面两侧设有源电极和漏电极，p‑GaN层的上表面中间刻有栅槽；栅槽被n‑GaN材料填充；n‑GaN材料高出栅槽，高出部分分别向源电极和漏电极所在方向延伸，且不与源电极、漏电极相接触；n‑GaN材料的上表面设有栅电极；p‑GaN层、n‑GaN材料、源电极、漏电极以及栅电极的上表面均覆盖有钝化层；该场效应晶体管还包括：穿过钝化层分别与源电极、漏电极以及栅电极相接的互连金属。本发明能够调控器件阈值电压，改善p沟道增强型GaN器件的功率损耗和泄漏电流。