Field Effect Transistors ; Electrical Testing ; Fabrication ; Gallium Arsenides ; Integrated Circuits ; Oscillators ; Semiconductor Materials;
机译:基于InAs / AlSb / GaSb的互补异质结场效应晶体管技术
机译:AIGaAs / InGaAs / AIGaAs异质结构场效应晶体管中0.6 THz的外差和次谐波混合
机译:基于伪形AlGaAs-InGaAs-GaAs异质结构的栅区参数对微波场效应晶体管静态特性的影响研究
机译:互补Gaas结门控异质结构场效应晶体管技术
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中的极化库仑场散射改善了线性度
机译:MOCVD制备的高性能InGaAs / GaAs掺杂沟道异质结构场效应晶体管(HFET)
机译:互补Gaas结栅控异质结构场效应晶体管技术