分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用

谢自力; 邱凯; 尹志军; 方小华; 王向武; 陈堂胜

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分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用

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用分子束外延技术生长了InGaAs/GaAs异质结材料,并用HALL效应法和电化学C-V分布研究其特性.讨论了InGaAs/GaAs宜质结杨效应晶体管(HFET)的优越性.和GaAs MESFETS或HEMT相比,由于HFET没有Al组份,具有低温特性好,低噪声和高增益等特点.本文研究了具有InGaAs/GaAs双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益HFET.

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来源
《电子器件》|2000年第4期|258-261|共4页
作者
谢自力; 邱凯; 尹志军; 方小华; 王向武; 陈堂胜;
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作者单位

南京电子器件研究所南京 210016;

南京电子器件研究所南京 210016;

南京电子器件研究所南京 210016;

南京电子器件研究所南京 210016;

南京电子器件研究所南京 210016;

南京电子器件研究所南京 210016;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 405.98;
关键词
InGaAs/GaAs异质结; 分子束外延; 异质结场效应晶体管; 掺杂分布; 沟道;

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