增强型InGaPInGaAsGaAsPHEMT异质结器件

摘要

该文报道了作者研制成功的增强型ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ异质结器件。该器件以ＩｎＧａＰ作为势垒层兼腐蚀栅槽的截止层。因而获得了很好的阈值控制。通过选择合适的势垒层厚度和掺杂浓度，获得了阈值电压接近零伏的增强型ＰＨＥＭＴ器件。其最大跨导２６５ｍＳ／ｍｍ，源漏击穿电压大于７Ｖ，输出截止特性好。栅极肖特基结正向开启电压为０．７Ｖ，反向击穿电压大于１２Ｖ，在－３Ｖ反偏处，漏电流小于１０ｎＡ。由于该器件阈值均匀性、重复性好，又是增线型，因而它非常适合应用于功耗单电源微波电路的研制和生产。