n-ZnO/p-Si异质结UV增强型光电探测器的研究

王丽玉; 谢家纯; 林碧霞; 王克彦; 傅竹西

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n-ZnO/p-Si异质结UV增强型光电探测器的研究

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采用平面工艺,在p+-Si背底上电子束蒸发Al制作欧姆电极,在p-Si外延层上溅射掺Al的 ZnO薄膜,再蒸发Al作有源区欧姆电极,研制成n-ZnO/p-Si异质结UV(ultraviolet)增强型光电探测器.测试结果表明:器件明显增强了200～400 nm紫外光的响应,同时保持了传统的Si探测器对波长大于400 nm波段的光谱响应,在330,420,468、525 nm附近有四个明显的光谱峰值响应.器件光致发光谱(PL)在371 nm处有发光峰值.

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来源
《电子元件与材料》 |2004年第1期|42-44|共3页
作者
王丽玉; 谢家纯; 林碧霞; 王克彦; 傅竹西;
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作者单位

中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026;

中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026;

中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026;

中国科学技术大学结构分析开放实验室,安徽,合肥,230026;

中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026;

中国科学技术大学物理系,安徽,合肥,230026;

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正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
氧化锌; UV增强型探测; 异质结; 宽禁带;

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