半导体三极管（晶体管）

半导体三极管（晶体管）的会议文献

• 1.[会议]

  双极型晶体管质子辐射位移损伤效应研究

  夏鹏; 杨少华; 吴福根;
  《中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会》 | 2018年

  摘要： 双极型器件广泛应用于航天、核反应堆等具有辐射性的领域,辐照会导致双极器件参数退化、稳定性降低,有必要对其辐射损伤效应进行深入研究.本文以双极型晶体管为研究对象...

• 2.[会议]

  热应力损伤导致IGBT失效的研究

  张小玲; 果朦; 谢雪松; 霍玉倩; 亓帅兵; 胡冬冬;
  《中国电子学会可靠性分会第二十届可靠性物理年会》 | 2018年

  摘要： 本文通过对绝缘栅双极晶体管(IGBT)失效模块的分析,采用有限元法(FEM)评估了IGBT模块的潜在可靠性缺陷.结果表明,热电应力会导致IGBT模块发生形变,...

• 3.[会议]

  栅介质刻蚀对顶栅自对准a-IGZO TFTs特性的影响

  PENG Hao; 彭昊; FU Haishi; 付海时; ZHANG Shengdong; 张盛东;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 本工作研究了栅介质刻蚀对顶栅自对准非晶铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFTs)的器件特性的影响.不刻蚀栅介质的器件比刻蚀栅介质的器件更难形成高导的源漏区域...

• 4.[会议]

  工艺步骤对溅射不同Ar∶O2的ZTO薄膜的影响与机理

  ZUO Hongyang; 左鸿阳; WANG Gang; 王刚; CHANG Baozhu; 常宝柱; WANG Shenglei; 王圣蕾; ZHANG Shengdong; 张盛东;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 本文研究了顶栅自对准ZTO-TFT的工艺对溅射不同Ar∶O2的ZTO薄膜特性的影响,并阐述其机理.随着溅射时Ar∶O2的降低,ZTO薄膜的载流子浓度先增大后减...

• 5.[会议]

  不同氧分压生长的双有源层对顶栅a-IGZO TFT的影响

  ZHANG Yuqing; 张羽晴; DENG Xuan; 邓轩; YANG Huan; 杨欢; CHANG Baozhu; 常宝柱; ZHANG Shengdong; 张盛东;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 本文研究了a-IGZO双有源层中不同氧分压下生长的高氧层对顶栅自对准TFT电学特性及温度性的影响.在低氧层保证较高迁移率的同时,选择合适氧分压的高氧层可有效调...

• 6.[会议]

  薄膜晶体管饱和区斜率研究

  XU Siwei; 徐思维; DU Zhe; 杜哲; LOU Junhui; 楼均辉; HU Siming; 胡思明; SHEN Zhihua; 沈志华;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 随着有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)技术的发展,亮度衰减成为影响AMOLED寿命的一个重要部分,有机发光二极管(OLED)器件在长时间点亮后,器件退化导...

• 7.[会议]

  离子注入工艺对LTPS TFT器件可靠性的影响研究

  XU Lin; 徐琳; 袁波; YUAN Bo; HUANG Genmao; 黄根茂; LIU Rusheng; 刘如胜; SHENG Cuicui; 盛翠翠; LIU Yucheng; 刘玉成; 高孝裕; GAO Xiaoyu; HUANG Xiuqi; 黄秀颀;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 在低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)工艺中,离子注入主要用于沟道掺杂及源漏极掺杂,其中沟道掺杂直接影响低温多晶硅薄膜晶体管的器件特性.本文主要研究了在不...

• 8.[会议]

  顶栅结构金属氧化物TFT转移特性“驼峰”问题的分析与改善研究

  XIA xingda; 夏兴达; WU tianyi; 吴天一; XING liang; 邢亮; FU jujian; 符鞠建; CHI xiao; 迟霄; HE zeshang; 何泽尚; XIONG nana; 熊娜娜;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 本文主要研究了顶栅结构非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)"驼峰"效应的形成机理.研究表明,TFT器件不同尺寸设计与"驼峰"现象的产生无关.在长时间的栅极负应力下T...

• 9.[会议]

  非晶IGZO薄膜晶体管的稳定性

  WANG Xinnan; 王鑫楠; YUAN Bo; 袁波; TANG Jing; 唐静; LIU Yucheng; 刘玉成; GE Yong; 葛泳; GAO Xiaoyu; 高孝裕; Huang Xiuqi; 黄秀颀;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 本论文研究了在IGZO成膜过程中Ar/O2流量比对氧化物半导体薄膜晶体管性能的影响.并测试了器件的转移特性曲线及偏压应力稳定性.研究结果表明:Ar/O2流量比...

• 10.[会议]

  低温制备的双介质层铟镓锌氧薄膜晶体管

  LI Huijin; 李慧津; DONG Junchen; 董俊辰; YU Wen; 郁文; HAN Dedong; 韩德栋; ZHANG Shengdong; 张盛东; ZHANG Xing; 张兴; WANG Yi; 王漪;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 本文在低温下成功制备了三氧化二铝/二氧化硅双介质层铟镓锌氧薄膜晶体管.扫描探针显微镜图显示双介质层薄膜具有良好的均一性.双介质层铟镓锌氧薄膜晶体管展示了良好的...

• 11.[会议]

  高迁移率氧化物半导体薄膜晶体管的制备与性能研究

  KONG Xiangyong; 孔祥永; LIU Yucheng; 刘玉成; GE Yong; 葛泳; XU Lin; 徐琳;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 目前AMOLED技术的发展非常迅猛,而AMOLED所用背板主要分为低温多晶硅和氧化物半导体两类.氧化物半导体由于工艺简单,设备投资较低正在越来越受到重视.氧化...

• 12.[会议]

  高可靠度IGZO TFT器件驱动的拼接OLED显示器

  Yun-Long Jiang; 姜云龙; Xing-yu Zhou; 周星宇; Yuan-Jun Hsu; 徐源竣; Im Jangsoon; 任章淳; Yuan-Chun Wu; 吴元均; Po-Yen Lu; 吕伯彦;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 本文通过优化刻蚀阻挡层结构a-IGZO TFT的栅极绝缘层,改善了器件的可靠性.通过对有源层IGZO背沟道增加N2O处理,使得器件的可靠性PBTS(VG=+3...

• 13.[会议]

  刻蚀阻挡层沉积温度对IGZO TFT器件电学性能影响研究

  HUANG Genmao; 黄根茂; CAI Shixing; 蔡世星; XU Lin; 徐琳; YUAN Bo; 袁波; GAO Xiaoyu; 高孝裕; HUANG Xiuqi; 黄秀颀;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 刻蚀阻挡层(ESL)制备工艺对ESL膜质及氧化物沟道性质都有显著影响.本工作通过对比实验,研究了ESL沉积温度对铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜晶体管(TFT)器...

• 14.[会议]

  基于H扩散法的自对准顶栅a-IGZO TFT制备工艺研究

  FU Haishi; 付海时; PENG Hao; 彭昊; ZHANG Xiaodong; 张晓东; ZHANG Shengdong; 张盛东;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 本文基于生长高温SiNx钝化层进行H掺杂的源漏处理方法制备了两种不同工艺流程的自对准顶栅a-IGZO TFT.在栅电极图形化后,是否继续进行栅介质刻蚀这一变量...

• 15.[会议]

  顶栅a-IGZO TFT沟道保护层的研究

  CAO Yunkai; 曹允开; ZHANG Xiaodong; 张晓东; CHANG Baozhu; 常宝柱; ZHANG Shengdong; 张盛东;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 本文通过改变低温栅介质生长顺序,在有源层图形化之前生长一定厚度的低温栅介质作为保护层,探究是否对自对准顶栅a-IGZO TFT器件特性及稳定性有所改善.结果表...

• 16.[会议]

  氧等离子体去胶对自对准顶栅a-IGZO TFTs性能的影响

  QIN Ludong; 秦禄东; DENG Xuan; 邓轩; ZHANG Xiaodong; 张晓东; ZHANG Shengdong; 张盛东;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 本文研究了氧等离子体干法去胶对自对准顶栅a-IGZO TFTs器件性能的影响.与湿法去胶制备的TFT器件相比,氧等离子体干法去胶能够很好地去除光刻胶并处理有源...

• 17.[会议]

  退火工艺对低温多晶硅技术的电性的影响

  LIU Rusheng; 刘如胜; 袁波; YUAN Bo; HUANG Genmao; 黄根茂; XU lin; 徐琳; SHENG Cuicui; 盛翠翠; GE Yong; 葛泳; LIU Yucheng; 刘玉成; 高孝裕; GAO Xiaoyu; HUANG Xiuqi; 黄秀颀;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 本文详述了在不同的活化退火时间(0.5h与1.0h)及M3退火温度(350°C与400°C)的条件下,P-Si TFT器件的电性参数的变化.研究表明,退火温度...

• 18.[会议]

  顶栅自对准结构a-IGZO TFT中遮光层的研究

  GAO Ying; 高颖; Xing-yu Zhou; 周星宇; Yuan-Jun Hsu; 徐源竣; Im Jangsoon; 任章淳; Yuan-Jun Wu; 吴元均; Bo-Yan Lv; 吕伯彦;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： 顶栅自对准(Top-gate self aligned)结构的a-IGZO TFT器件具有较小的寄生电容适用于驱动OLED(Organic light emi...

• 19.[会议]

  TFT阵列基板中Cu/Mo膜层图案化的影响因素研究

  ZHAO Fenli; 赵芬利; MEI Yuan; 梅园; WU Haoxu; 吴豪旭; TANG Shi; 唐诗; CHEN Hsiao Hsien; 陈孝贤;
  《2018中国显示学术会议》 | 2018年

  摘要： Cu/Mo金属膜层图案化是薄膜晶体管(TFT)技术的关键问题;为了得到合格的TFT器件,一般需要刻蚀后Gate层金属图案的taper:45～55°,无unde...

• 20.[会议]

  焊接工艺对IGBT模块焊接空洞率的影响

  林焯澎; 曾世堂; 何天贤;
  《IFWT 2018焊接国际论坛》 | 2018年

  摘要： 焊接是绝缘栅双极晶体管IGBT模块封装中最关键的工艺,焊接质量直接影响到IGBT模块的可靠性和使用寿命.文中研究了焊接工艺对IGBT模块焊接空洞率的影响.结果...

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