低温制备的双介质层铟镓锌氧薄膜晶体管

摘要

本文在低温下成功制备了三氧化二铝/二氧化硅双介质层铟镓锌氧薄膜晶体管.扫描探针显微镜图显示双介质层薄膜具有良好的均一性.双介质层铟镓锌氧薄膜晶体管展示了良好的转移特性和输出特性,器件的亚阈值摆幅SS为177mY/dec,电流开关比为1.9×108.实验结果表明,三氧化二铝/二氧化硅薄膜可作为薄膜晶体管介质层,低温下制备的双介质层铟镓锌氧薄膜晶体管有希望应用于柔性电子学.