Gallium arsenides; Organometallic compounds; Epitaxial growth; Vapor phases; Oxygen; Indium phosphides; Control; Reprints; High rate; Spectroscopy; Semiconductors; Quenching; Electrons; Aluminum; Silicon; Sampling; Concentration(Composition); Conduction b;
机译:金属有机气相外延生长在砷化铟镓和磷化铟中的受控氧结合
机译:增强的磷化铟衬底保护层,用于铟镓镓砷化物磷化双异质结构激光器的液相外延生长
机译:铟掺入通过金属有机气相外延生长的InGaN和InAIN层中
机译:意外镓掺入金属有机气相外延生长的AlN层的起源
机译:金属有机气相外延在硅衬底上生长砷化铟镓磷化物/磷化铟1.3微米双异质结构激光器
机译:出版商更正:氢化物气相外延生长砷化镓太阳能电池的速度超过300 µm h-1
机译:基于氧的深层金属有机气相外延铟镓砷
机译:金属有机气相外延铟镓砷的氧基深度