铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术

摘要

本发明是一种MOCVD法制备高荧光效率的铟镓氮单晶薄膜的生长技术，在高温下生长铟镓氮单晶薄膜，同时进行Si和Zn共掺杂，实现高效蓝光发射。GaN和InGaN可在相同温度下生长；避免了在器件结构生长过程中的升降温过程，减少了生长工艺上的困难；简化了工艺；提高了生长的可控性和重复性；生长的InGaN材料发光强度强；具有高的生长速率，缩短了生长时间，从而提高了材料的利用率。可适用于含InGaN的光发射二极管和激光器等光电器件的制备技术领域。