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制备共面型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法及薄膜晶体管

摘要

本发明涉及薄膜晶体管技术领域,尤其涉及制备共面型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法及薄膜晶体管。所述方法包括:在绝缘层衬底上形成铟镓锌氧薄膜作为有源层;在有源层上形成栅介质层;在栅介质层上形成栅电极;根据栅电极的图形,对栅介质层进行图形化;对有源层进行图形化;在绝缘层衬底和有源层上形成源漏电极;在绝缘层衬底、有源层、栅介质层、栅电极和源漏电极上形成钝化层;对源漏电极和栅电极上方的钝化层进行图形化,形成通孔,以露出源漏电极和栅电极的部分区域,形成共面型铟镓锌氧薄膜晶体管。本发明能够提高源漏区域与金属电极之间的接触面积,从而降低了器件源漏区域的电阻。

著录项

  • 公开/公告号CN111696868A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN202010589067.9

  • 发明设计人 李泠;段新绿;卢年端;耿玓;刘明;

    申请日2020-06-24

  • 分类号H01L21/34(20060101);H01L29/786(20060101);

  • 代理机构11302 北京华沛德权律师事务所;

  • 代理人房德权

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-06-19 08:22:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-10-27

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/34 专利申请号:2020105890679 申请公布日:20200922

    发明专利申请公布后的驳回

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