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薄膜晶体管饱和区斜率研究

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随着有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)技术的发展,亮度衰减成为影响AMOLED寿命的一个重要部分,有机发光二极管(OLED)器件在长时间点亮后,器件退化导致开启电压上升,使得TFT源漏两端电压减小.因驱动TFT饱和区存在斜率导致源极电流减小,OLED亮度降低.本文通过多组实验条件来减小饱和区斜率,发现减小源/漏注入能量和剂量、栅氧化层减薄等条件达到了减小斜率的作用,猜测改善原因可能与抑制有效沟道调制效应和增强栅极对沟道的控制能力相关.

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来源
《2018中国显示学术会议》|2018年|16-19|共4页
会议地点西安
作者
XU Siwei; 徐思维; DU Zhe; 杜哲; LOU Junhui; 楼均辉; HU Siming; 胡思明; SHEN Zhihua; 沈志华;
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作者单位

中国物理学会;

中国光学光电子行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN321.5;
关键词
薄膜晶体管; 饱和区斜率; 技术改造;

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