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具有轻掺杂漏区/偏移区(LDD/OFFSET)结构的薄膜晶体管

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摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)，包含轻掺杂漏区(LDD)或偏移区，其中，形成薄膜晶体管，以便多晶硅衬底中的主晶粒边界不位于轻掺杂漏区(LDD)或偏移区中。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-11-28

专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/786 变更前: 变更后: 登记生效日:20121024 申请日:20031216

专利申请权、专利权的转移
2012-11-28

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/786 变更前: 变更后: 登记生效日:20121024 申请日:20031216

专利申请权、专利权的转移
2009-04-01

授权

授权
2009-04-01

授权

授权
2004-09-22

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-09-22

实质审查的生效

实质审查的生效
2004-07-14

公开

公开
2004-07-14

公开

公开

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1. 具有轻掺杂漏区/偏移区(LDD/OFFSET)结构的薄膜晶体管 [P] . 中国专利： CN100474627C . 2009.04.01
2. 轻掺杂漏极掺杂区方块电阻的测试结构及其制造方法 [P] . 中国专利： CN101459046B . 2010.11.10
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