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赵金凤; 杜孟君; 张冬利; 王槐生; 单奇; 王明湘;
苏州大学电子信息学院 江苏 苏州215006;
漏端Offset; 薄膜晶体管; 非晶铟镓锌氧化物; 电阻; 开态电流模型;
机译:非晶铟镓锌锌氧化物薄膜晶体管的分析电流和电容模型
机译:栅极/漏极电压配置对具有自对准顶栅结构的非晶铟锌氧化物薄膜晶体管中电流应力不稳定性的影响
机译:具有298至333 K蚀刻停止层的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电流电压和闪烁噪声分析以及统一建模
机译:光照下具有不同有源层厚度的非晶铟镓锌氧化锌薄膜晶体管的磁滞和截止电流
机译:利用聚焦离子束制备非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:利用双栅控制改善顶栅自对准非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的特性
机译:超柔性,不可见的薄膜晶体管,由非晶金属氧化物/聚合物沟道层混合物制成。
机译:具有显影表面的铟镓锌氧化物半导体(IGZO)的透明非晶层的制造方法
机译:多层非晶铟镓锌氧化物薄膜结构的低发射率薄膜及其制造方法
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