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郑庆平; 章倩苓; 阮刚; 陈晓;
无;
机译:不同LDD掺杂浓度的栅极重叠轻掺杂漏极(GOLDD)多晶硅薄膜晶体管的电学特性分析
机译:单晶片清洁工艺在轻掺杂漏极(LDD)期间产生的静电荷导致的损坏
机译:砷二聚体(As_2〜+)轻掺杂漏极(LDD)注入研究用于20nm逻辑器件开发
机译:一种现代化的水库模拟,可漏的“高级住宿”博士系统:沉积工艺,建筑和Grijalva系统的储层连接,塔巴斯科州,墨西哥
机译:轻冰淇淋的微观结构和物理化学特性:挤出微粒乳清蛋白和工艺设计的影响
机译:缩回:“非对称源/漏极中的功能特性/漏极中inalassb / Ingaas / InPΔ掺杂的高电子移动晶体管”Appl。物理。吧。 86,033505(2005)
机译:用于VLsI(超大规模集成)mOsFET的改进的轻掺杂漏极结构
机译:不同的轻掺杂漏极长度控制,用于自对准轻掺杂工艺
机译:轻掺杂漏极中的两个掺杂区,用于薄膜晶体管和相关的掺杂工艺
机译:薄膜晶体管轻掺杂漏极中的两个掺杂区及相关的掺杂工艺
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