轻掺杂漏极掺杂区方块电阻的测试结构及其制造方法

摘要

LDD掺杂区方块电阻的测试结构的制造方法，包括：提供具有栅层的半导体衬底，该半导体衬底具有第一区域和第二区域；图形化所述栅层，在第二区域形成栅极，并在第一区域至少形成两个栅极；执行LDD掺杂工艺，在第二区域的栅极两侧的半导体衬底中和第一区域的栅极之间的半导体衬底中形成LDD掺杂区；在所述栅极上、侧壁以及栅极之间的半导体衬底上形成介质层；刻蚀去除所述栅极顶部的介质层，并保留第一区域的LDD掺杂区上部分厚度或全部的介质层。本发明还提供一种LDD掺杂区方块电阻的测试结构。本发明有助于提高对LDD掺杂区方块电阻测量的精度。