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刘丹; 黄中浩; 刘毅; 吴旭; 闵泰烨; 管飞; 方亮; 齐成军; 谌伟; 赵永强; 宁智勇; 方皓岚;
重庆京东方光电科技有限公司;
重庆大学物理学院;
中国科学院大学重庆学院;
薄膜晶体管; 光刻胶剥离; Al离子; 寄生栅极效应; 发明问题解决理论;
机译:根结线虫隐身效应器MiISE5抑制程序性细胞死亡以促进寄主植物中的寄生
机译:使用热回流光刻胶和旋涂玻璃的具有HEMT类沟道的0.5μm以下栅极掺杂沟道场效应晶体管
机译:通过PMMA剥离工艺实现的场效应晶体管和光电探测器中栅极电介质的金属卤化物钙钛矿
机译:双金属栅极FINFET装置中剥离双k间隔物的短信效应(SCES)表征
机译:亚3nm制程中的MOS栅极电介质缩放比例:限制和解决方案。
机译:根结线虫效应器MiISE5抑制程序性细胞死亡以促进寄主植物中的寄生
机译:用于光刻胶成型的光致抗蚀剂的深紫外硬化,以及通过离子铣削和溅射沉积剥离制备背栅场效应生物传感器
机译:在0.2μm栅极长度alInas / Gainas / Inp调制掺杂场效应晶体管中的扭结效应的直流和射频测量。
机译:在回放方法中,空光刻胶剥离工艺的控制方法为光刻胶剥离工艺的控制方法和光刻胶
机译:采用相邻的低k伪栅极的电路到场效应晶体管(FET)以减少FET源/漏寄生电容,以及相关的制造方法
机译:栅极-底部到源极/漏极寄生电容减小的垂直鳍式场效应晶体管
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